[공학기술]반도체증착기술

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최초 등록일: 2007.07.19
최종 저작일: 2007.01; 10페이지/ 한컴오피스; 가격 1,500원

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반도체 증착기술에 대한 레포트입니다.
신기술인 ALD에 대한 내용도 수록

본문내용

(1) CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요
외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 이루는 합성 공정을 말한다
(1)-1. CVD System의 활용 범위
① Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD
② 향상된 마모 저항성을 지닌 bushings(관내에 끼우는 물질)과 textile 구성요소를 생산
하기 위한 Diamond-like carbon coating. Plasma CVD
③ Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와
Titanium nitride CVD-coated carbide toll
④ MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식
저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.
⑤ Advanced semiconductor의 요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungsten
silicon oxide, metal silicides 및 other coatings

참고 자료

Donald M. Mattox, Handbook of Physical Vapor Deposition Processing, Noyes Publication, 1998

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