[공학기술]MOS-FET 공통 소스 증폭기

소개글

MOS-FET에 대한 실험 예비 / 결과 보고서이다.

목차

<예비보고서>
<결과보고서>

본문내용

1.제목:실험 24 MOS-FET 공통 소스 증폭기
2.실험목적
① MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
② FET 증폭기에 대한 여러가지 바이어스를 고찰한다.
③ MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정한다.
3.실험 내용
가.이론과 내용
① MOS-FET는 드레인전류를 전압으로 제어하는 금속-산화물 반도체 FET이다.
② MOS-FET에는 두 종류가 있다. 1.공핍형, 2.증가형
③ MOS-FET의 게이트는 기판으로부터 절연되어 있다.
④ 증가형 MOS-FET는 드레인과 소스 사이에 채널을 가지고 있지 않다. 채널에 있어서
전하캐리어의 생성은 게이트에 바이어스를 걸어주므로 인하여 기판 내에 유기되는
전자로 구성된다.
⑤ N채널 증가형 MOS-FET의 게이트는 양(+)으로 바이어스되어야 한다.
반면 P채널 증가형 MOS-FET의 게이트는 음(-)으로 바이어스되어야 한다.
⑥ 공핍형 MOS-FET는 그림과 같이 채널을 가지고 있다.
⑦ 공핍형 MOS-FET의 게이트는 양(+), 0 혹은 음(-)으로 바이어스할 수도 있다.
⑧ N 채널 공핍형 MOS-FET의 게이트에 양(+)으로 바이어스 되었다면,
증가형 모드로 동작한다.
⑨ N채널 공핍형 MOS-FET의 게이트에 음(-)으로 바이어스되었다면, 공핍형 모드로
동작한다.
⑩ FET는 그림과 같이 전압분배 바이어스로 사용되며, 또한 그림과 같이 자기
바이어스로도 사용할 수 있다.

참고 자료

없음