SEM HEM

소개글

SEM(scaning electron microscope) 과
HEM(Hall effect measurement)
관련 내용입니다.

목차

SEM(scaning electron microscope)
1) 실험 목표
2) 실험 방법
3)장비-SEM(scaning electron microscope)
4) 실험 결과
5) 결론 및 토의

HEM(Hall effect measurement)
1) 실험 목표
2) 실험 방법
3) 장비

본문내용

SEM(scaning electron microscope)
1) 실험 목표
: GaN/sapphire 박막의 SEM을 이용한 박막의 두께 측정을 하고 기판과 박막 간의 성장 상태, 성장 박막 내의 결함을 관찰할 수 있다.
2) 실험 방법
① 시편의 준비- 사파이어 기판에 박막을 성장한 GaN/sapphire 시편
② 시편을 홀더에 장착한다.
③ 홀더를 SEM에 장착한다.
④ 전압을 발생시켜서 1차 전자를 발생시키고 20eK로 고정시키고 잠시 유지 후 2차 전자 발생시킨다.

3)장비-SEM(scaning electron microscope)
<3.1> 설명
: SEM 이란 고진공중에 놓여진 시료표면을 1-100nm정도의 미세한 전 자선으로 x-y의 이차원 방향으로 주사하여 시료표면에서 발생하는 2 차전자, 반사전자, 투과전자, 가시광, 적외선, X선, 내부기전력 등의 신호를 검출하여 음극선관(브라운관) 화면상에 확대화상을 표시하거 나 기록하여 시료의 형태, 미세구조의 관찰이나 구성원소의 분포, 정 성, 정량 등의 분석을 행하는 장치이다.
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참고 자료

실험교재