열처리 온도에 따른 비저항 변화 및 silicide 형성관찰

소개글

열처리 온도에 따른 비저항 변화 및 silicide 형성관찰

목차

1. 실험목적

2. 이론적 배경

3. 실험방법.

4. 실험결과 및 고찰
1) 열처리온도에 따른 비저항곡선 plot 하시오.(X축 : 열처리온도 Y축 : 비저항)
2) AES data를 참고하여 비저항의 변화를 설명하면서 쓰시오.
3) 비저항과 AES를 참고하여 Scrach test data를 설명하면서 쓰세요.
4) 순수한 Ag의 경우보다 alloy한 Ag가 비저항이 더 높은데 alloy를 하는 이유와 Silicide를 형성함으로써 장점을 설명하시오.

본문내용

기판 : Si Target : Ag 첨가원소 : Pd
1) 증착할 기판을 불산처리하여 native oxide를 제거한다.
2) 기판을 Sputtering장치에 Loading한다.
3) Rotary Pump를 이용하여 6morr까지 저진공을 뽑는다.
4) Diffusion 2×10-6 torr까지 고진공을 뽑는다.
5) 그 후 Ar가스를 흘려주어서 플라즈마를 생성시킨다.
6) 증착조건 : power → 150W, Working Pressure → 2mTorr에서 Ag(Pd)를 2000Å을 증착한다.
7) 증착된 시편의 Sheet Resistance를 측정한다.
8) 시편을 Vacuum furnace로 열처리를 한다.(100℃, 200℃, 300℃, 400℃, 500℃, 600℃, 700℃, 800℃) 진공을 뽑는 과정은 Sputter의 시스템과 동일하고 열처리조건은 Base Pressure : 2×10-5Torr, 30분
9) 열처리된 시편의 Sheet Resistance를 다시 측정한다.
10) 준비된 시편의 분석을 실시한다.
11) 분석을 통하여 열처리 온도에 따른 박막특성을 비교한다.
2) AES data를 참고하여 비저항의 변화를 설명하면서 쓰시오.
앞에서 열처리 온도에 따른 그래프(X축 : 열처리온도 Y축 : 비저항)를 보면 열처리 온도가 증가 할수록 비저항은 감소하고 700℃부터 갑자기 급격하게 비저항이 증가하는 것을 볼 수 있다.
전기전도도는 비저항에 반비례하기 때문에 비저항이 높다는 것은 그 만큼 전기전도도가 낮다는 것을 의미하므로 700℃부터는 반도체의 박막 기능을 상실했다고도 생각할 수 있다.

참고 자료

없음