Poly-Si 결정화 방법

소개글

제목그대로 a-Si에서 poly si을 만들기 위한 방법 입니다.

목차

없음

본문내용

아래에서는 다결정 실리콘 박막을 제작하는 대표적인 방법들을 소개하려 한다. 주로 비정질 실리콘 박막을 유리 기판에 여러 가지 방법으로 증착한다. 어떤 기판에는 SiO2의 buffer layer를 가지기도 한다. LPCVD와 PECVD의 대표적인 a-Si증착 방법이 있따. 저온 다결정 실리콘로는 PECVD로 a-Si을 증착할 경우 많은 양의 Hudrogen atom들을(증착시 기판 온도에 따라 차이가 있으나 대략 20%내왜의 Hydrogen이 포함되어 있음) 따로 anneal-out 해야 하는 공정이 필수적이다.
a. As deposited poly-Si : 다결정 실리콘 박막은 580℃ 이상, 0.1~ 0.2torr의 압력 하에서 직접 얻을 수 있다. 그러나 일반유리 기판이 오랜시간 동안 견딜수 없는 온도이므로 값비싼 quartz의 사용이 불가피하다. 따라서 대형 패널로의 적용은 생각하기 어렵다. 더 낮은 온도에서 증착할 수 있는 실험결과가 몇몇 발표되기는 했으나 실용화에는 아직 이 온도 또한 높으며 결정적으로 throughput이 아주 낮다. Disilane gas(Si2H6) 를 사용하여 심지어 500℃ 이하에서도 성공하였으나 다결정 실리콘의 quality가 떨어지고 전기적 특성 또한 좋지 않았다.
Solid phase crystallization(SPC): a-Si으로부터 다결정 실리콘 thin film을 얻는 가장 직접적이고도 오래 사용하였던 방법이 SPC이다.
As deposited된 material은 a-Si 이던지 다결정 실리콘이던지 상관이 없다.

참고 자료

없음