Poly SI 기술 Report

소개글

poly Si 기술에 대한 리포트입니다.

목차

1. a-Si TFT LCD 모듈
LTPS TFT-LCD 모듈
2. 레이져 조사 Beam의 길이
1) Laser Beam 중첩율이 96%일때,
2) Laser Beam 중첩율이 98%일때,
3. Top-Gate 구조
Bottom-Gate 구조
4. Levinson Model(On Current)
5. n-type에서는 Off current영역에서 ...
6. Analog sampling
7. System on panel

본문내용

1. a-Si TFT LCD 모듈 : Gate IC와 Source IC가 외부로 드러나 있어 유효면적이 크고,
edge area가 넓어짐
PCB와 panel간 IC가 필요
고속의 정보처리를 요구하는 신호 전달에는 문제
On-,Off 전류비가 비교적 크고, 저온 증착 가능
Off 상태의 누설전류가 비교적 낮다.
(후광 조사시에는 Off 전류가 크다)
LTPS TFT-LCD 모듈 : Gate Driver와 Data Driver가 panel내에 집적되어 LCD edge가 narrow하고 symmetry함
주변회로의 일체화
빛에 덜 민감하다.
강점 : IC 기능과 화소용 스위치 기능을 동시에 실현(개구율 감소)
고밀도 화소 구현(구동 IC 접촉 선수 감소에 의한 TAB Pitch 극복 가능)
재료비 감소(구동 IC수 감소)
구동 회로 집적에 의한 모듈 Compactness 실현(모니터 유효면적 감소)
약점 : 결정 성장의 어려움, 녹는점이 높은 고가의 Quartz기판이 필요

참고 자료

없음