NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향

목차

1. 서론
2. NFGM과 기존 플래시 기술과의 비교
3. NFGM의 주요 특징 및 나노점의 형성
4. 고집적/고성능 NFGM을 위한 소자 구조
5. 연구동향
6. 결 론

본문내용

1. 서론
플래시 메모리는 휴대폰, 카메라, 그리고 MP3와 같은 휴대기기의 출현으로 과거 DRAM에 국한되어있던 메모리시장이 점차 플래시 메모리 시장으로 대체 되고 있다.
특히 플래쉬 메모리는 비휘발성 및 저전력 소모 특성으로 휴대기기의 주 기억소자로 사용되기 시작하였으며 DRAM보다 우수한 집적도로 인해 비트 density증가 및 bit cost 감소에 유리하여 대용량 저장매체로서 그 수요가 신장되고 있다.

2. NFGM과 기존 플래시 기술과의 비교
그림 2에 보여진 것과 같은 기존의 ETOX(EPROM tunneloxide) 플래시 메모리 셀은 지속적으로 축소화되어 2007년경에는 65 nm 기술 노드 셀 크기: 0.039 μm2)에서 양산이 가능할 것으로 기대된다. 메모리 용량증가를 위해서는 MLC(multi-level cell: 하나의 셀에 다중 비트 저장) 방법의 적용도 예상할 수 있으나, 가장 좋은 방법은 메모리 셀의 크기를 줄이는 것이다.

3. NFGM의 주요 특징 및 나노점의 형성
NFGM은 앞서 언급한 SONOS의 경우처럼 기존의 부유게이트 플래시 메모리 셀의 축소화를 더욱 연장하여 집적도를 높일 수 있다. SONOS의 저장전극인 질화막내에서 전하 저장트랩의 분포 제어는 아직 확실하지 않지만 NFGM의 경우는 전하저장 장소로 질화막내의 트랩대신 다수의 나노 크기부유게이트를 도입하고 크기 및 밀도를 제어하고 있다. 즉, SONOS에 비해 전하 저장소를 더 잘 제어할 수 있는 특징이 있다.

4. 고집적/고성능 NFGM을 위한 소자 구조
현재의 상품화되어 있는 플래시 메모리 소자는 폴리실리콘을 부유게이트로 사용하고 있으며, 채널구조가 기존의 MOS(metal-oxide semiconductor) 소자와 같은 평탄채널을 갖고 있다.

5. 연구동향
세계적으로 미국의 IBM, 모토롤라, 코넬대, 버클리대 등과일본의 도시바, 히타치, 동경대, 동북대 등의 기관과, 유럽의CEA-LETI, IFN-CNR, 타이완의 차오퉁대, 한국에서는 삼성을 비롯한 국내 몇 개 대학에서 NFGM에 대한 연구를 수행해 오고 있다. 특히 2003년경부
6. 결 론
국제 반도체기술 로드맵에 의하면 2010년경에 45 nm 기술노드에서 20 Gb 이상의 집적도가 가능해질 것으로 예상되고 있다. 기존의 도전성 부유게이틀 갖는 플래시 메모리 셀구조를 바탕으로 한 플래시 메모리는 65 nm

참고 자료

http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/481_article.pdf
http://www.kps.or.kr/storage/webzine_uploadfiles/483_article.pdf