BJT 와 FET
- 최초 등록일
- 2007.10.10
- 최종 저작일
- 2006.11
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소개글
BJT 와 FET 의 비교 설명,
종료, 특징, 장담점.
목차
☀ BJT
*Transistor 개요
- 이미터 -공통 증폭기
-컬렉터 - 공통 증폭기
- 베이스 -공통 증폭기
☀ FET(전계 효과 트랜지스터)
- 소스 공통 증폭기
- 드레인 공통 증폭기
-게이트 공통 증폭기
FET와 BJT의 비교
* FET : field effect transistor
*BJT bipolar junction transistor
FET와 BJT 특성 요약 표
본문내용
☀ BJT
*구조 : N형 반도체 사이에 P형을 삽입한 NPN 트랜지스터 구조와 P형 반도체 사이에 N형을 삽입한 PNP 트랜지스터 구조의 2종류
*용도 : 증폭 또는 스위치
*원리 :
*Transistor 개요
-작은 신호를 형태는 변하지 않으면서 진폭만 원하는
수준으로 키우는 전류증폭기
-컬렉터 전류(Ic)가 핀치오프전압에 이르면 컬렉터,이미터의 전압(VCE)에 영향을 받지 않는 정전류 소자
-회로에 트랜지스터를 삽입하여 회로의 전류는 제어하는 전류제어 소자
☀ FET(전계 효과 트랜지스터)
*종류 : 전계효과 트랜지스터에는 접합 FET와 MOS FET가 있으며 채널내 반송자 이동을 입력 전압에 의해 제어하는 증폭소자.
*구조 및 성질 : FET는 소스(S), 드레인(D), 그리고 게이트(G)의 3개의 전극으로 구성 소스는 반송자를 공급하는 전극이고, 드레인은 반송자를 접속하는 전극으로 소스와 드레인 사이의 전류(반송자의 흐름)를 게이트 전극으로 제어하는 전압제어 증폭 방식임.
%% BJT와 차이 : BJT는 전류로 제어 되는 종속 전류원으로 동작
FET는 전압으로제어 되는 종속 전류원으로 동작
소스는 BJT의 이미터, 드레인은 BJT의 컬렉터 그리고 게이트는 BJT의 베이스 기능
참고 자료
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