단결정 제조법, p-n접합 제조법

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최초 등록일: 2007.10.20
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단결정 제조법,p-n접합 제조법에 대한 PPT자료 입니다.

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단결정 성장
단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정이다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉으로 변형된다. 고진공 상태에서 섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장한다. 이와 같은 성장과정이 끝나면, 단결정봉은 실내온도로 식혀지고 각각의 단결정봉이 여러 조건에 부합되는지를 평가하게 되고, 단결정봉은 부분별로 가공되어 정확한 직경을 갖게 된다.

III. 단결정 성장법
1. Czochralski 법
2. Float Zone 법
Czochralski 법
Czochralski(CZ) 에 의해 발명된 것으로써 CZ법에 의해 성장된 단결정은 전세계적으로 태양전지 뿐만 아니라 집적회로 제조를 위한 기판으로 널리 사용되고 있다.
CZ법에 의해 생산된 실리콘 단결정은 실리콘 고집적회로 제조에 적절한 정도의 고순도 및 대구경의 웨이퍼에 대한 요구를 만족시키고 있어 가장 대표적인 단결정 성장법으로 널리 활용되고 있다.

참고 자료

MICROELECTRONIC PROCESSING
고체전자공학 / Ben G.Streetman / 사이텍
반도체공학 / 허규성저 / 일진사
전기.전자재료 / 이준웅저 / 동일출판사
참고자료
인터넷
http://blog.daum.net/kimtesong/6565
http://semicon.wonkwang.ac.kr/intro/data/process

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