박막재료의 표면 처리 및 PR제거

소개글

여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 (1) 증착공정, (2) 마스크의 패턴형성 그리고 (3) 식각 공정으로 구분된다. 이러한 공정들 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.

목차

실험제목
실험목적
실험내용
실험절차
실험이론
참고자료

본문내용

1. 실험제목

박막재료의 표면 처리 및 PR제거

2. 실험목적

여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 (1) 증착공정, (2) 마스크의 패턴형성 그리고 (3) 식각 공정으로 구분된다. 이러한 공정들 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.

3. 실험내용

가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치 (reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.

4. 실험절차

(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면, 표면 색깔과 패턴 관찰 - 광학현미경 관찰
(3) 산화막의 식각 - 반응성 이온 식각장치 사용하여 적절한 식각가스와 Power를 선택하여 식각 실험을 진행한다.

참고 자료

반도체공정개론 이상렬 (교보문고)
반도체물리학 쇽클리윌리암 (길감서점)
류장렬 외 2인, (집적회로설계를 위한)반도체 공학(형설출판사, 2003), p 76~82
한국공업화학회 편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html