TFT-LCD의 특징 및 제작원리

소개글

TFT-LCD의 특징 및 공정원리를 알아보자.
대학리포트 및 논문활용에 도움이 될 것이다.
LCD의 기본원리를 알고 시작하자
더이상 일본의 기술에 주눅들지 말지어다

목차

TFT-LCD의 특징 및 제작원리

A.비정질 si TFT-LCD
1) 비정질- si TFT-LCD의 구조
2) 자체 정렬형 TFT
3) TFT 전류 특성
4) TFT array 공정

B.폴리 si TFT-LCD
1) 비정질 si TFT과 차이점
2) 고온 공정 p-si TFT 제작
3) p-si TFT의 특성

본문내용

BCE형 TFT
N+막을 dry etch할때 , over etch정도에 따라서 비정질 실리콘의 두께가 달라진다. 300Å~700Å정도의 n+층을 벗겨내려면 채널의 비정질 실리콘이 어느 정도 overetch되는데,Overetch되는 비정질 실리콘의 두께가 유리기판의 위치마다 다르므로, TFT특성을 일정하게 유지하려면 overeth정도를 고려하여 비정질 실리콘을 두꺼게 증착해야 한다.
a – si막의 두께는 1500~2000Å정도이다.

si TFT의 구조
특성
1)On상태와 off상태의 전류비가 106~108정도로 매우 크다.
2)공정 온도가 350도 근방으로 유리의 융점보다 낮아 유리기판에 쉽게 만들 수 있다.
Coplanar 형
1)소스와 게이트가 한 평면상에 놓인다.
2)다결정 실리콘 TFT에 사용된다.
Staggered 형
1)소스와 게이트가 다른평면상에 놓인다.
2)비정질 실리콘 TFT에 사용된다.
역(inverted) staggered 형 TFT (bottom gate 방식)
BCE형 TFT
N+막을 dry etch할때 , over etch정도에 따라서 비정질 실리콘의 두께가 달라진다. 300A~700A정도의 n+층을 벗겨내려면 채널의 비정질 실리콘이 어느 정도 overetch되는데,Overetch되는 비정질 실리콘의 두께가 유리기판의 위치마다 다르므로, TFT특성을 일정하게 유지하려면 overeth정도를 고려하여 비정질 실리콘을 두꺼게 증착해야 한다.
a si막의 두께는 1500~2000A정도이다.

참고 자료

없음