JFET과 MESFET에 관한 보고서 내용보충 완결편

소개글

JFET과 MESFET에 관한 보고서입니다.
사진자료와 알기쉬운 해설로 구성되어 있습니다.
교수님이 과제로 내 주신건데...
교수님께 칭찬받은 A+ 레포트입니다~

목차

■ The Junction Field Effect Transistor (JFET)
동작원리
JFET Common Source Amplifier
JFET Common Drain Amplifier

■ The Metal Semiconduct or FET (MESFET)
열처리에 의한 특성개선
열처리에 의한 전기특성변화
활성화어닐에 의한 균일성변화
MESFET의 일반적인 특징들.

본문내용

♧ The Junction Field Effect Transistor (JFET)
접합 FET 에서는 전압가변성인 접합의 공핍영역폭이 전도성 채널의 유효단면적을 제어하는데 사용된다. 소자에서 전류 ID는 두 개의 p+ 영역 사이의 n형 채널을 통해서 흐른다. 이들 p+ 영역과 채널 사이의 역방향 바이어스를 인가하면 공핍영역이 n형 물질쪽으로 침입하고, 따라서 이 채널의 유효폭이 제한될 수 있다. 채널영역의 저항률은 도핑에 의해 결정되므로 채널저항은 유효단면적의 변화와 더불어 변한다. 유추해 보면 이 가변성 공핍영역은 전도성 채널을 개폐하는 출입구의 두 개의 문과 같은 역할을 한다.
n형 채널에 있는 전자는 오른쪽에서 왼쪽으로 표동하며 전류의 흐름과 반대가 된다. 전자가 흘러나오는 채널의 끝을 소스(source), 그리고 그들이 흘러가는 끝을 드레인(drain)이라 한다. p+형 영역은 게이트(gate)라 한다. 채널이 p형이면 정공이 소스로부터 드레인으로 전류가 흐르는 것과 같은 방향으로 흐를 것이며, 게이트 영역은 n+일 것이다. 이 두 개의 게이트영역을 전기적으로 연결하는 것이 일반적이다. 따라서 전압 VG는 각 게이트영역 G에서 소스 S에 이르는 전위로 고려한다. 고농도의 도핑된 p+형 영역의 전도도는 크므로, 각 게이트의 전위는 전체적으로 균일하다고 가정할 수 있다. 그러나 저농도로 도핑된 채널에서는 위치에 따라 전위가 변한다. 채널을 전류ID가 흐르는 분포된 저항으로 생각한다면 채널의 드레인단인 D에서 소스전극 S까지 인가되는 전압은 소스 근처의 한 점에서 S까지 인가되는 전압보다 커야 한다는 것은 분명하다. 낮은 전류값에 대해서는 채널에서의 전압 Vx가 선형적인 변화를 보인다고 가정할 수 있으며, 그 값은 드레인단에서의 VD로부터 소스단에서의 0의 값까지 변화한다.

참고 자료

“고체 전자 공학” Ben Streetman 도서출판 영
http://kr.ks.yahoo.com/service/ques_reply/ques_view.html?dnum