Mram의 기본적인 구조와 동작원리

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최초 등록일: 2007.10.29
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Mram의 기본적인 구조와 동작원리에 대한 자료입니다.

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1. MRAM의 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance:TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 (그림 1)과 같이 2개의 강자성층이 비자성층을 끼운 3층 구조로 강자성층에는 변이 금속자성원소(Fe, Co, Ni) 및 그것들의 합금(CoFe,NiFe 등)이 채용되고 있다.
여기에서 (그림 1(a))와 같이 상하 2개의 강자성층의 곁에 2개의 전선을 배합하고, 상부의 전선에는안쪽에서 앞으로, 하부의 전선에는 앞에서 안쪽으로 전류를 흘려 보냈을 경우,양쪽의 강자성층과 함께 그림의 오른쪽의 방향에서 자계가 발생한다(암페어의 오른나사의 법칙).
한편, (그림 1(b))와 같이 2개의 전선을 동시에 앞에서 안쪽으로 전류를 흘려 보냈을 경우에는 상부의 강자성층에는 좌향, 하부의강자성층에는 우향의 자계가 발생한다.
TMR 소자는 이 자성체층의 자계의 방향에 의해 전기 저항이 변화되는 것이 특징으로
아래와 같은 1개의 저항으로 생각할 수 있다.

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