실리콘 산화막의 용도 및 성장 방법

소개글

실험 예비레포트와 결과 레포트 같이 있습니다..

목차

1. 예비 레포트
-실리콘 산화막의 용도 및 성장 방법
2.결과 보고서
-실리콘 웨이퍼의 결정 방향과 구조에 대한 분석

본문내용

산화막(Oxide)은 이온 주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과, 표면안정화(surface passivation), 표면 유전성(surface dielectric)과 소자의 부분품(component)으로 이용된다. 그리고 산화막 성장 공정에서는 산화막의 균일성(uniformity), 재현성(reproductibility)이 요구되며, 이물질에 오염이 되지 않은 양질(hight quality)의 산화막이 형성되어야 한다. 전기적으로 부도체인 산화막 층은 반도체 소자에 있어 게이트 산화층(gate oxide), 필드 산화층(field oxide), 축전기 산화층(capacitor oxide), 자동정렬 마스크(self-aligned mask), 표면 보호막(surface passivation film), 층간 절연막(interlayer dielectric) 등 매우 다양한 용도로 사용되고 있다. 실리콘 IC가 현재의 인기를 누리게 된 주된 이유 중의 하나도 실리콘이 손쉽게 양질의 산화규소(SiO2) 층을 형성할 수 있다는 데 있다. 실리콘 위에 SiO2 층을 형성시키는 방법은 여러 가지가 있는데, 이들은 열 산화(thermal oxidation)법, 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD)법, 그리고 전기화학적 산화(electrochemical oxidation; anodization)법 등이다.
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우를 건식 산화라 하고, 산소와 수증기의 혼합물을 사용하는 경우를 습식 산화라 한다. 고온 산화막 성장은 Furnace를 사용한다. 석영관은 분리된 세 개의 저항코일(resistance coil) 내부에 있으며, 코일에 전류를 흘리면 석영관의 온도는 상승한다. 따라서 석영관 내부의 웨이퍼는 고온으로 가열된

참고 자료

없음