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[박막공학]반응성스퍼터링의 원리

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최초 등록일
2007.11.03
최종 저작일
2007.06
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소개글

박막공학-물리증착기술(PVD)에 반응성스퍼터링에 대한 프리젠테이션 리포트입니다.
반응성스퍼터링에 대해 쉽게 설명되어있는 유익한 자료입니다.

목차

스퍼터링
스퍼터링의 장단점
DC sputtering
RF supttering
Magnetron sputtering
스퍼터 건

본문내용

스퍼터링
고에너지의 입자를 원하는 박막과 동질인 물질로 이루어진 기판에 충돌시켜 그곳으로부터 원자와 분자가 떨어져 나와 박막을 만드는 방법을 말한다.
(에너지가 수백 eV ~ 수십 keV 인 이온이 타겟에 입사되면 이온과 타겟 원자의 충돌에 의해서 타겟 표면에서 방출되는 방향의 운동량 성분을 가진 타겟 원자가 나타나 타겟에서 탈출한다
스퍼터링의 장단점
장점
넓은 면적에서 균일한 박막두께 증착가능
박막두께의 조절이 비교적 용이함
진공증착에 비하여 보다 정확학 합금성분조절 가능
Step coverage, grain structure, 응력등의 조절가능
X-ray손상 배재
단점
고가장비
낮은 증착률(SiO2)
DC sputtering
RF supttering
Magnetron sputtering
DC power supply
Heated wafer chuck
Magnet
Argon inlet
Vacuum Pump
Target
Cathode
Figure 12.20
스퍼터 건

참고 자료

없음

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