10.결과.MOSFET 증폭기 및 스위치 회로

소개글

MOSFET 증폭기 및 스위치 회로 실험의 결과값 및 분석에 관한 그래프 입니다.
결과값을 수치화한 그래프 자료가 많이 들어있습니다.

※ 주의 : 파일명에 프리 라고 씌여 있는 것은 사전리포트(실험전에 이 실험이 무엇인가 조사한 리포트), 파일명에 결과 라고 씌여 있는 것은 결과리포트(실험후에 실험값을 분석하고 정리한 리포트)

목차

Ⅰ. 실험 결과 및 분석
1. VTO & GAMMA 추출
① NMOS
② PMOS
2. 시뮬레이션과의 비교
① NMOS
② PMOS
3. electron mobility와 LAMBDA 추출
① NMOS
② PMOS

본문내용

Ⅰ. 실험 결과 및 분석
1. VTO & GAMMA 추출
① NMOS
[V]0-0.5-1-2-3-5-7-10[V]1.82.252.643.293.844.785.576.56
: 갑자기 전류가 튀어 오르는 것을 일정하게 측정하기 위해 일정한 기준을 정하였으며 10㎂로 결정하였다.
② PMOS
VBS[V]0-0.5-1-2-3-5-7-10VT[V]-1.46-1.66-1.81-2.03-2.18-2.4-2.56-2.74
: 갑자기 전류가 튀어 오르는 것을 일정하게 측정하기 위해 일정한 기준을 정하였으며 -10㎂로 결정하였다.
2. 시뮬레이션과의 비교
① NMOS
② PMOS
NmosOS[V]PMOS[V]VTOGAMMAVTOGAMMASpice1.761.90-2.21-2.59측정1.802.00-1.55-0.53오차[%]-2.27-5.2629.8679.54 <그래프>
: NMOS :
PMOS :
와 같은 식으로 보아 y 절편이 VTO, 기울기가 GAMMA이다. NMOS의 VTO & GAMMA 측정은 큰 오차 없이 시뮬레이션에 근접한 값을 얻을 수 있었다. 그러나 PMOS의 GAMMA 값에서 큰 오차가 났다. GAMMA는 MOSFET에서 일어나는 body effect를 나타내는 term으로서 base와 substrate의 전압차인 VBS가 커질수록 VT의 크기가 커진다. 즉 MOSFET에 전류를 흐르게 하는데 요구되는 전압 VGS가 커짐을 의미한다.
2. electron mobility와 LAMBDA 추출
VDS[V]00.511.522.533.544.55VGS=2[V]140μ30.89m31.56m31.94m32.28m32.56m32.84m33.08m33.33m33.53m33.72mVGS=3[V]240μ363m458m471m479m484m489m493m497m501m504mVGS=4[V]270μ61m1030mm1220m1270m1290m1300m1320m1330m1340m1350mVGS=5[V]290μ82m1570mm2150m2540m2740m2820m2860m2880m2910m2930m① NMOS

② PMOS
V_DS0-0.5-1-1.5-2-2.5-3-3.5-4-4.5-5V_GS=2V-0.00030.3030.3970.420.4370.4510.4640.4750.4860.4970.507V_GS=3V-0.000340.5140.8481.011.071.111.141.171.21.231.25V_GS=4V-0.000380.7421.381.92.322.582.722.812.892.963.01V_GS=5V-0.000380.8981.742.523.213.84.274.644.885.055.18

참고 자료

없음