태양전지용 웨이퍼 제작공정

소개글

태양전지용 웨이퍼 제작공정 ( 단결정 & 다결정 ) / 박판기술

목차

1. 단결정 웨이퍼 제조공정
2. 다결정 웨이퍼 제조공정
3. 리본법, 실리콘 박판기술
4. Reference

본문내용

일반적으로 wafer 제조에 쓰이는 방법은 Czochralski Method이다. 줄여서 Cz-Si라고도 부른다. Cz-Si를 만드는 방법은 아래와 같다.
ⅰ) 다결정 실리콘을 높은 온도에서 녹여 액체 상태로 만든다.
ⅱ) 실리콘 성장의 핵이 될 단결정 실리콘 막대를 액체 속에 넣고 매우 천천히 회전시켜서 결정이 천천히 성장하도록 만든다.
ⅲ) 위의 공정을 거쳐서 만들어진 실리콘 단결정 덩어리(Ingot)을 wafer 형태로 만들기 위해 일정한 두께로 잘라냅니다. 이 공정을 Slicing이라고 한다.
ⅳ) Slicing 공정 중 발생된 wafer 표면의 Damage를 제거하고 wafer의 두께와 평탄도를 균일하게 만들기 위해 연마 공정을 합니다. 이 공정을 Lapping이라고 한다.
ⅴ) 화학 용액으로 Wafer 표면에 남은 Damage를 제거한다.
ⅵ) wafer 본래의 저항률을 갖도록 하기 위해서 Boron Gas 분위기에서 고온으로 장시간 열처리를 한 다음에 급속 냉각을 해준다.
ⅶ) 거칠어진 wafer 표면을 고도의 평탄도를 갖도록 연마 공정을 한다. 이 공정을 Polishing이라고 한다.
ⅷ) Polishing 후 wafer 표면에 붙은 오염 입자들을 제거한다. 이 공정을 Cleaning이라고 한다.

참고 자료

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