메모리종류, 탄성력, 마찰력

목차

1. 메모리 구분

2. RAM(Random Access Memory)

3. SDRAM(Synchronous DRAM)

4. 탄성력

5. 마찰력

본문내용

1. 메모리 구분
메모리 칩 분류의 가장 일반적인 방법은 휘발성 여부(Volatile)이다. 휘발성이라고 하는 것은 전원이 연결된 상태에서 정상적으로 동작하던 칩 내부에 저장된 데이터가 전원공급을 끊은 이후에도 계속 유지되는지의 여부에 따른다. 즉 전원공급이 차단된 뒤에도 계속 데이터가 유지되면 이는 비 휘발성(InVolatile) 메모리이고 데이터가 지워지면 휘발성(Volatile) 메모리라고 간주하는데 이런 성격에 따라서 롬과 램으로 구별한다.
2. RAM(Random Access Memory)
RAM은 RWM(Read Write Memory)라고도 하며 컴퓨터의 전원이 꺼지면 내부에 저장되어 있던 정보가 모두 사라지기 때문에 휘발성(Volatile) 메모리라고 한다. 램은 데이터를 읽고 쓰는 것이 자유로운 기억장치이며, 휘발성을 가지기 때문에 전원 공급이 끊어지면 메모리의 모든 내용은 지워진다.
램은 전원공급이 계속 되는 동안 기억된 내용을 계속 유지할 수 있는 SRAM(정적램)과 전원공급 외에도 주기적으로 재충전을 해주어야 내용을 기억하는 DRAM(동적램)으로 나뉜다.
SRAM (Static RAM)
SRAM은 DRAM이 갖는 불편을 최소화시키면서 속도를 높인 것으로 가격은 DRAM보다 비싸다. 그 이유는 DRAM과 달리 캐패시터(Capacitor) 회로를 사용하지 않고 래치(Latch) 회로를 사용하기 때문에 리프래시 회로가 필요 없고, 일반적인 DRAM보다 빠르게 동작하며 주변 제어회로를 간단하게 구성할 수 있기 때문이다. 리프래시가 필요하지 않는 이유는 SRAM이 트랜지스터의 집합으로 만들어져 있기 때문이다.
1개의 래치회로는 4개나 8개의 트랜지스터로 구성이 되기 때문에 DRAM보다는 크기가 크지만, 래치회로는 전원이 끊어지지 않는 한 입력된 신호가 지속되어 기술적으로 동작속도를 높일 수 있다. 또 SRAM은 주기적으로 데이터를 읽어주지 않아도 시스템의 전원이 살아있는 한 데이터를 그대로 보존하는 장점을 가지고 있다.
SRAM은 쓰기와 읽기를 동시에 한다는 점에서 DRAM과 같다. 그러나 데이터를 보존하기 위해 캐패시터가 아닌 플립플롭(FLIP-FLOP)을 이용하므로 재충전 과정이 필요 없으므로 DRAM에 비해 빠른 속도를 가진다. 그러나, DRAM과 비교할 때 동일하게 주어진 공간이라면 그 가운데 단지 1/4만 저장공간으로 쓸 수 있다.
SRAM의 메모리 구성은 각 비트별로 6개의 트랜지스터로 구성된다. SRAM은 DRAM에 사용하는 캐패시터보다 비싼 트랜지스터를 사용해서 한 비트를 구성하기 때문에 매우 빠른 대신 가격이 비싸다. PC에서는 캐시메모리로 사용되며 정적램이라고 하는 것은 데이터가 내부에 들어있기 때문이다.
SRAM은 현재 사용하는 램중에서 가장 빠르지만(일반적으로 10ns의 억세스 시간을 가진다), 쓰기 작업시 많은 에너지를 필요로 한다. SRAM은 보통 메인보드에서 L2 캐시로 사용된다.

참고 자료

없음