물리학과 기초물리실험 트랜지스터 보고서

소개글

서울대학교 물리학과 기초물리실험 트랜지스터 보고서

목차

I. 실험 목적
II. 배경 이론
III. 실험 방법 및 실험 결과
IV. Discussion : 분석 및 토의

본문내용

실험 목적
자체적으로 전력을 소모함으로써 신호의 전류나 전압을 증폭할 수 있는 소자를 Active Device라 하는데, 그 대표적인 것이 transistor이다. 트랜지스터에는 BJT (Bipolar junction transistor)와 FET (Field effect transistor)의 두 가지 종류가 있는데, 여기서는 ADC (analog-digital convertor)와 파형 분석 프로그램인 Picoscope를 이용하여 BJT의 대표적인 기능들과 그 중요한 특성들에 대해서 살펴보도록 한다.
II. 배경 이론
트랜지스터의 다양한 측면과 기능들을 여기서 모두 다룬다는 것은 불가능해 보이므로, 여기서는 간단한 트랜지스터의 특성과 주의 사항들에 대해서만 살펴보고, 개별적인 트랜지스터 회로에서의 동작과정은 III. 실험과정 및 결과에서 다루도록 할 것이다. (다음의 이론들은 주로 npn transistor를 이용한 common emitter follower를 기본으로 하여 설명된다는데 유의)
1. Transistor의 구조와 특성
① 첫 번째로 트랜지스터는 전류증폭의 특성을 가진다.
② 두 번째로 트랜지스터는 정전류동작을 하는 특성을 가진다. 즉, CE간에 흐르는 전류 IC를 베이스전압 VB로 제어할 수 있으므로, VCE 혹은 VCC값이 어떻게 변하든 IC는 고정된다. 이를 VCE-IC 특성이라 한다. 이 특성을 그래프로 나타내면 곧 특성곡선(characteristic curve)이 된다.
③ 위의 ②와 같은 의미에서 트랜지스터가 회로전류제어의 특성을 가진다고도 한다.
④ 이상의 특성들을 잘 조합하면 트랜지스터는 크게 다음과 같은 네 가지 기능을 수행할 수 있다. → ㉠ Follower ㉡ Amplifier ㉢ Current source ㉣ Switch
2. npn Transistor회로구성에 있어서 지켜야 할 점
① collector전위가 emitter전위보다 높아야 한다.

참고 자료

없음