반도체 공정과 리소그래피 개요

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최초 등록일: 2008.01.18
최종 저작일: 2008.01; 27페이지/ MS 파워포인트; 가격 2,000원

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반도체 공정 개요
리소그래피 개요
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본문내용

Lithography 란?

집적회로 제조과정에서 마스크(mask) 상의 회로 패턴을 웨이퍼(wafer)
위에 옮기를 공정
석판화 기술, 인쇄 기술 : litho(돌) + graphy(그림, 글자)

Clean Wafer
Wafer 표면의 유기물, 이온, 금속 불순물의
오염을 막기 위해 화학적으로 세척
HF 용액 : 산화막 제거를 위해 사용
DI(DeIonized) Water : 오염물질을 제거한 매우 순수한 물
물의 저항 : 18㏁-㎝ , 입자크기 : 0.25㎛이하 , 박테리아수 1.2/㎣ 이하

PhotoResist coating
감광제 도포(Positive or Negative)
1000 ~ 5000 rpm 정도로 회전
약 30 ~ 60초
점도, 스핀 속도와 시간
☞ 두께와 균일성에 영향
Si 표면과 PR간의 접착력 향상
→ HMDS 사용

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