[공업화학 실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

소개글

박막 재료(반도체) 표면 처리에 대한 예비 조사 리포트입니다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
6. 참고자료

본문내용

(2) Lithography의 정의와 과정
① Lithography의 정의
- Lithography 란 그리스어에서 파생된 말이다. 즉, 돌(Litho)과 인쇄(Graphy)의 합성어로 석판 인쇄술을 말한다. 백과사전에는 치밀하고 부드러운 다공질인 석회석에 직접 또는 간접으로 그린것을 판으로 하여 인쇄하는 기법으로 정의되어 있다. 반도체에서 사용되는 Lithography 는 역시 비슷한 뜻으로 사용되고 있다. 반도체라는 돌위에 극미세 패턴을 인쇄하는 공정을 의미한다. Lithography 공정은 반도체 전체 공정의 30% 이상을 차지하는 단위 공정으로, 웨이퍼위에 후속 에칭 공정의 방어막 역할을 하는 유기물의 특정 패턴을 적절한 파장의 빛과 마스크를 이용하여 정확한 위치에 정확한 크기의 패턴을 전사하는 공정이라고 할 수 있다. Lithography 공정은 보통 다음과 같은 단계로 진행되고 다른 공정을 거쳐 반도체가 완성된다. 보통 일반적으로 말하는 Photo 공정과 Etching 공정을 합쳐 말하기도 하고 Photo 공정만을 말하기도 한다.

② 개론
- 집적회로를 생산하기 위해서는 확산이나 불순물 원자들의 주입 방법으로 다양한 물질의 박막을 장벽 또는 전도체와 실리콘 기판 사이에 절연체로 사용한다. 또한 불순물 침투나 접합이 필요한 곳 어디나 이런 장벽물질에 구멍이나 창을 뚫게 된다. 패턴 창을 가지는 마스크는 Photo-Lithography라 불리는 과정을 통하여 실리콘 웨이퍼 표면에 전사된다. Photo-Lithography는 매우 개량된 사진인쇄술로서, 패턴은 마스크로부터 감광제라 불리는 빛에 민감한 물질로 전사된다. 화학적 에칭이나 플라즈마 에칭은 그 때 감광제로부터 웨이퍼 표면의 장벽물질에 패턴을 전사할 때 사용한다. 각 마스크 공정은 수 많은 과정마다 정교해야 한다.

참고 자료

파일에 기재되어 있습니다.