반도체 정류회로 예비레포트

소개글

대학 물리학 실험 예비레포트입니다.

목차

1. 목적
2. 원리
3. 기구 및 장치
4. 실험 방법

본문내용

1. 실험 목적 :

p-n접합형 반도체다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환하는 정류회로의 제작을 통하여 정류회로를 이해하고 특성을 관찰한다.

2. 실험 원리
-교류전원을 직류전원으로 바꾸어 주는 회로를 정류회로라고 한다. p-n접합형 반도체다이오드는 순방향 전압방향으로만 전류를 흐르게 한다. 이러한 다이오드의 성질을 이용하여 정류회로를 구성한다.정류회로는 정류파형에 따라 반파정류와 전파정류로 구분지을 수 있다.
-반파정류기(Half-Wave Rectifier)
교류를 직류로 변화시킬 때 다이오드를 사용하는 데 이를 정류기라 하며, 그 과정을 정류라고 한다. 정류의 가장 기본적인 방법은 반파정류회로이다. 변압기의 2차 저압이 정의 반주기(V_AB 가 +)일 때 다이오드 D_1은 순방향 바이어스가 되며, 따라서 전압원에 대하여 매우 낮은 저항값을 나타내므로 2차 전압의 대부분이 부하저항 R_L양단에 나타난다. 순방향 바이어스된 다이오드는 대표적으로 실리콘의 경우 0.5V에서 1.0V, 게르마늄의 경우 0.2V에서 0.6V의 순방향 전압강하를 나타낸다. 회로해석을 간단히 하기 위해 전압강하는 대부분 무시하며, 특히 공급전압이 높을 경우에는 다이오드의 순방향 전압강하는 출력전압에 대하여 아주 작은 비율이 된다.
-바이어스
트랜지스터와 진공관 등의 전자 소자에 소정의 동작점을 주기 위하여 전극에 일정한 직류 전압이나 전류를 가하는 것, 또는 그와 같이 하여 가하는 직류 전압이나 전류, 전압을 가리키는 경우는 바이어스 전압, 전류를 가리키는 경우는 바이어스 전류라 한다.

참고 자료

없음