NPN PNP BJT Gummel PLOT IC VCE VBE 전류전압특성 내부커패시턴스 대역폭 반도체 소자분석 Bandwidth pspice

소개글

웨이퍼에 집적된 BJT 소자를 프로브스테이션과 분석기를 통하여 Sweep한 결과 값을 추출하는 실험에 대한 보고서 입니다. 데이터값과 값을 바탕으로 IC-VCE ,VBE, Gummel PLOT이 있고,
해당소자에 대한 스파이스 파라미터값, 그리고 그값으로 spice시뮬레이션한 파형
내부 커패시턴스 특성, 밴드위스, 기판효과 등의 파형이 있습니다.
총 21개의 파형과 그래프/ 모델파라미터에 대한 설명
분량은 9페이지이지만 다량의 그래프가 있으며, 파형 확대시 깨끗한 출력 보장

목차

1.추출값
2.추출값으로 구한 파형
3.스파이스시뮬레이션
4.파라미터설명

본문내용

Model parameters* Description Units Default
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AF flicker noise exponent 1.0
BF ideal maximum forward beta 100.0
BR ideal maximum reverse beta 1.0
CJC base-collector zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CJE base-emitter zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CJS (CCS) substrate zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CN quasi-saturation temperature coefficient for hole mobility 2.42 NPN 2.20 PNP
D quasi-saturation temperature coefficient for scattering-limited hole carrier velocity 0.87 NPN 0.52 PNP
EG bandgap voltage (barrier height) eV 1.11
FC forward-bias depletion capacitor coefficient 0.5
GAMMA epitaxial region doping factor 1E-11
IKF (IK) corner for forward-beta high-current roll-off amp infinite
IKR corner for reverse-beta high-current roll-off amp infinite
IRB current at which Rb falls halfway to amp infinite
IS transport saturation current amp 1E-16
ISC (C4) † base-collector leakage saturation current amp 0.0
ISE (C2) † base-emitter leakage saturation current amp 0.0
ISS substrate p-n saturation current amp 0.0
ITF transit time dependency on Ic amp 0.0
KF flicker noise coefficient 0.0
MJC (MC) base-collector p-n grading factor 0.33
MJE (ME) base-emitter p-n grading factor 0.33
MJS (MS) substrate p-n grading factor 0.0
NC base-collector leakage emission coefficient 2.0
NE base-emitter leakage emission coefficient 1.5
NF forward current emission coefficient 1.0

참고 자료

없음