[기초회로실험보고서]ch.2 RC회로의 과도응답 및 장상상태 응답

소개글

본 레포트는 "기초회로 실험" [두양사, 이준신,윤석호공저] 보고서입니다.
본인은 실제로 학교에서 이책으로 수업을 들었으며 예비레포트 결과레포트를 제출한결과
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목차

1.제목: rc회로의 과도응답 및 정상상태 응답

2.실험목적

3.실험과정

4.결과

5.고찰

본문내용

1.제목: RC회로의 과도응답및 정상상태응답


2.실험목적: RC회로의 과도응답과 정상상태응답을 수학적으로 도출하고, 이를 확인한다.


3.실험준비물:
오실러스코프 -1대-
함수 발생기(FUNCTION GENERNATOR) -1대-
저항 1㏀ , 10㏀ -1개-
캐패시터 10㎌ ,100㎌ -1개-


4.실험과정및결과:
1)시정수측정 그림과같이 회로를 구성하고 캐패시터를 10[V]로 충전 후 연결선을 저항에 연결하여[10V-> 0V]의 입력신호를 가한다. 오실러스코프는 캐패시터양단의 전압 변화를 살피게 될것이고 오실러스코프에 나타난 출력 저항을 그리고 시정수를 구하라. 이론적으로 계산된 값과 비교하라.


RC회로
시정수
R
C
이론값
실험값
1㏀
10㎌
0.01s
0.009s
1㏀
100㎌
0.1s
0.08s
10㏀
10㎌
0.1s
0.08s
10㏀
100㎌
1s
1.02s


2)미적분회로를 그림 10-3에서와 같이 회로를 RN미고 각각의 회로에 RC회로의 입력단에 함수발생기를 이용하여 삼각파, 사각파를 입력하여 본다. 미분 적분 특성이 나타나는가 를 확인한다.







3)그림 10-2회로에 함수발생기를 사용하여 정현파를 입력하고 그림 10-67과 같은 위상 지연이 나타나는가를 확인하라. 이론값과 비교하라.

위상 지연이 나타나는것을 알수가 있다.

참고 자료

basic engineering circuit analysis -J.DAVID IRWIN-

회로이론 -임제탁, 김수중 공역-
signal & systems -simon haykin , barry van veen-