[전자통신 기초실험] 반도체 다이오드
- 최초 등록일
- 2008.03.24
- 최종 저작일
- 2008.03
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소개글
전자전기공학과에서 다루는 내용입니다
반도체 다이오드 실험 예비보고서
제가 직접작성한 레포트 입니다
목차
1.실험제목 : 3-1 반도체 다이오드
2.목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다.
3.관련이론
본문내용
1.실험제목 : 3-1 반도체 다이오드
2.목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다.
3.관련이론
※ 다이오드(diode)
이극 진공관 및 반도체 다이오드를 통틀어 이르는 말로써 다이오드(diode)는 게르마늄이나 규소로 만들며 발광, 정류(교류를 직류로 변환) 특성 등을 지니는 반도체 소자를 말한다. 또한 오직 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 2단자 소자이다.
- 다이오드의 종류
1.정류 다이오드: 교류를 직류로 변환할 때 응용
2.스위칭 다이오드: 고속on/off특성을 스위칭에 응용
3.정전압(제너)다이오드: 애벌런치 (Avalanche)나 항복 (Breakdown) 전압 특성이 낮은 전압에서 이루어지도록 도핑한 소자이며 전류의 크기에 관계없이 일정한 전압값을 나 타냄
4.가변용량 다이오드: 가변 용량 특성을 FM변조 AFC동조에 응용
5.터널(에사키)다이오드: 음저항 특성을 마이크로파 발진에 응용
6.Schottky 다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용, 누설전류가 흐르지 않는다.
금속에 정공이 없기 때문에 전하 축적이 없어 보통의 다이오드 보다 아주 빠른 스위칭 속도를 갖는다.
7.발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용
8.광(photo)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용, 거리의 가로등을 켤 때 사용 된다.
9.배리스터 다이오드: 과전압이 들어올때 차단시켜서 다른 기기나 소자를 보호함
10.IMPATT 다이오드: 부성저항을 일으키게 하기위한 전자상태 현상과 주행시간을 얻기 위하여 요구되는 시간지연 등을 이용한 특수마이크로파 다이오드
11.PIN 다이오드: 광 파이퍼 시스템의 광 검출기로 이용
12.Step-Recovery 다이오드: 역방향에서 순방향으로 전환될 때 순방향 전류가 매우빠르 게 복구됨을 이용하여 고주파의 빠른 스위칭에 응용
※ 반도체 다이오드
다이오드는 반도체의 p-n 접합에 바탕을 두고 있다. p-n 다이오드에서 전류는 p-type (anode) 면에서 n-type (cathode) 면으로만 흐를 수 있다.
- PN 접합
P-N 접합(P-N junction)은 N형 반도체와 P형 반도체를 정밀하게 접촉시켜서 만들 수 있다. 접합(면)이라는 말은 이 두가지 반도체가 만나는 부분을 가리킨다. P형과 N형의 경계부분은 다음 그림과 같이 생각할 수 있다.
P-N 접합은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형
참고 자료
①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 153p~158p
②전자회로실험, 내하출판사, 김현후 외1명, 05년2월20일,
85p~90p, 405p~410p
③전자회로실험, Oxford University press, Adel Sedra / K.C Smith,
1998년, 31p~40p
④전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일,
143p~152p
⑤전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 129p~138p