# IC칩의 분류와 특징

소개글

IC칩의 발전과정과 IC칩을 구조따라 분류하고 특징을 설명한 Report입니다

목차

★ IC칩의 발전과정
①. Vacuum tube
②. Transistor
- Transistor의 종류
<구조에 따른 분류>
③. IC칩

★ IC칩의 종류와 특징
1. 메모리 IC칩
▷ 휘발성형
ⓛ. DRAM(Dynamic RAM)
- FPM(Fast Page Mode) DRAM
- EDO(Enhanced Data Out) DRAM
- SDRAM(Synchronous DRAM)
- DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
- DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
②. SRAM(Static Random Access Memory)
▷ 비휘발성형
①. Flash Memory Flash Memory
②. EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory)
③. EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

2. 주문형 반도체
①. ASIC(Application Specific Integrated Circuit)
②. FPGA(Field Programmable Gate Array)

★ Memory IC칩의 발전방향
★ 참고문헌 및 자료원

본문내용

★ IC칩의 발전과정
Vacuum tube -> Transistor -> IC칩
①. Vacuum tube
진공관1884년 미국의 에디슨은 백열전구를 연구 하면서 진공 속에서 전류가 흐르는 것을 발견하였으며(에디슨 효과), 이 발견을 기초로 하여 영 국의 J.A.플레밍이 기체를 빼낸 유리공 속에 백열전구와 같은 필라멘트와 2개의 금속판 전극을 넣어 2극진공관(밸브라 했다)을 발명하여 무선전신의 검파(檢波)에 이용했다. 1906년에 미국의 드 포리스트가 2극진공관에 또 다른 전극을 삽입하여 전자의 흐름을 제어하도록 하는 3극진공관을 발명하였다(당시에 Audion이라고 불렀다). 이후에 3극진공관의 결점을 보완한 4극관·5극관 등이 차례로 발명되었고, 그 외에도 여러 목적에 따른 진공관들이 발명되었다. 미약한 신호에 의한 큰 에너지의 제어, 각종 신호처리 기술이 가능해지도록 하여 전자공학의 발전의 시초가 되었다. 초기의 라디오나 텔레비전의 수상기와 각종 송신기에 사용되었다.
- 진공관의 종류
②. Transistor
1948년 미국 벨전화 연구소의 W.H.브래튼, J.바딘 및 W.쇼클리는 반도체 격자구조의 시편(試片)에 가는 도체선을 접촉시켜 주면 전기신호의 증폭작용을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였다. 이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관(眞空管)과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것이다. 트랜지스터 그 자체가 소형이어서 이를 사용하는 기기(機器)는 진공관을 사용할 때에 비하여 소형이 되며, 가볍고 소비전력이 적어 편리하다. 초기에는 잡음·주파수 특성이 나쁘고, 증폭도도 충분하지 못하였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관에 대치되었다.
- Transistor의 종류
트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크게 나누면, 컬렉터에 음의 전압을 걸어 사용하는 pnp형과 양전압을 걸어 사용하는 npn형이 있으며, pnp형은 주로 게르마늄(Ge), npn형은 주로 실리콘제의 경우가 많다.

참고 자료

1. http://www.technoa.co.kr/
반도체와 관련된 뉴스와 자료제공
2. http://www.ksia.or.kr/ (한국반도체 산업협회)
사업환경의 개선과 산업구조의 고도화를 위해 회원사 간의 협력을 통해 반도체 산업을 발전시키고 첨단기술입국에 이바지하고자 설립한 민간단체.