산화막 측정 실험 (결과 보고서)

소개글

1. A+받은 리포트입니다.
2. 진공 및 박막 실험 수업중에 보고서로 제출한 내용입니다.
3. 체계적으로 구성되어 있습니다. (목차 참고)

목차

■ 실험 결과/결론
1. furnace 를 이용한 산화막 증착
2. 산화막 두께 측정


■ 토의 내용
1. 실험을 통해 얻은 결과에 대해...
2. 실험의 목표에 도달한 만족도
3. 실험시 까다로웠던 점
4. 아직도 풀리지 않은 의문사항

■ 보충 내용

본문내용

1. furnace 를 이용한 산화막 증착

사전보고서를 통해서도 알았듯이 우선 적당한 크기로 웨이퍼를 잘라 증착하기에 앞서 세척에 들어갔다. 세척은 다음과 같은 절차를 통해 세척을 했다.

웨이퍼에 이렇게 까다로운 세척이 필요한 이유는 다음과 같다. 실리콘 웨이퍼의 표면은 Device Process의 원활함과 고품질 회로를 구성하기 위해, 회로 제조시 치명적인 영향을 주는 표면 Damage(Particle, Scratch)또는 미량의 화학적 성분이 표면에 잔존해서도 안되며, 극도의 평탄도(Flatness)가 요구된다. 따라서 Slicing, Lapping, Polishing 작업시 미세한 진동(Vibration)도 억제되어야 하며, 웨이퍼는 손으로 만져서도 안된다. 또한 전기적 특성이 없는 물(Deionized Water)로 세척하여 표면 정전기를 방지하고, 청정실(Cleanroom)에서의 작업으로 고도의 청결을 유지해야 한다.


1
실리콘 샘플을 아세톤이 담긴 비커에 넣고 5분 동안 기다린다.
2
샘플을 꺼내서 증류수로 헹구고 다시 메탄올이 담긴 비커에 넣어서 5분 동안 기다린다.
3
샘플을 꺼내서 증류수로 헹구고 암모니아와 물을 1:4 비율로 혼합액을 만든다.
4
샘플을 혼합액에 넣고 100도씨에 10분 동안 끊인다.
5
샘플을 꺼내서 증류수에 담고 5분정도 기다린다.
6
HF 용액을 플라스틱 비커에 담고 10초 정도 담군 뒤 증류수로 깨끗하게 세척한다.

2개의 웨어퍼 조각의 세척이 끝난 후에는 우선 rapid thermal cvd 에 넣어 고온으로 급속히 산화막 생성을 시도했으며 둘 중에 나머지 한 개는 다시 furnace 에 넣어 산화막 생성 실험을 계속 하였다. 사전 보고서에서 조사한

참고 자료

없음