에너지밴드,진성반도체,불순물반도체,캐리어전도

소개글

에너지밴드,진성반도체,불순물반도체,캐리어전도
ppt로 모두 정리 된 리포트입니다. 끝쪽에는 캐리어전도 식들이 정리 되어있습니다.

목차

1.5 .1 에너지 밴드 모델 (Energy band model)-1
1.5.1 에너지밴드 (-2)
1.5.2 진성반도체(intrinsic semiconductor)와 불순물반도체(extrinsic semiconductor)
1.5.3 불순물 반도체들의 캐리어(Carrier)상태

본문내용

가전자대(valence band)
원자들이 결합하여 결정을 이룰 때 결합에 직접 참여한 가전자들이 의해서 형성된 에너지대로 에너지대의 일부가 비어 있는 전자의 이동이 가능하게 되므로 이 곳의 전자는 외부로부터의 힘을 받으면 쉽게 전기 전도에 참여할 수 있습니다.

. 전도대 (conduction band)
가전자대에 있던 전자가 외부의 힘(열에너지나 전장)을 받아 핵의 구속력으로 부터 벗어나 결정내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대로 이곳의 전자들의 이동에 의해서 전류를 흐르게 합니다.

. 에너지갭
가전자대와 전도대의 사이에 전자가 존재할 수 없는 영역으로 이 폭을 에너지 갭(energy qap)이라 합니다. 가전자대의 전자가 전도대로 올라가 전기전도에 참여하기 위해서는 이 폭을 뛰어 넘을 수 있는 에너지를 얻어야 합니다.

참고 자료

없음