이극 접합 트랜지스터 (BJT의 동작 및 특성)
- 최초 등록일
- 2008.04.27
- 최종 저작일
- 2006.05
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소개글
전기전자회로실험 시간에 예비 리포트로 작성한 것 입니다. 필요하신 분들께 많은 도움 되었으면 합니다.
목차
I. 서론
II. 본론
A. 트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로의 정특성
iii. BJT의 정격
C. BJT 회로
i. BJT 회로의 3가지 형태
ii. BJT 회로의 3가지 모드
III. 결론
IV. 참고사항
본문내용
I. 서론
본 리포트에서는 이극 접합 트랜지스터의 원리 및 동작특성을 조사하여 이극 접합 트랜지스터에 대한 정의를 얻었다는 것을 보이고자 한다.
II. 본론
A. 트랜지스터(Tr; transistor)
트랜지스터는 <그림 1-1>의 외형 예에서 보듯이 기본적으로 3개의 금속단자를 갖는 전자회로 부품이다. 용도에 맞게 여러 가지 형태의 것이 있다. 취급하는 전압, 전류의 대소, 증폭될 수 있는 주파수 등이 다를 뿐이지 어떤 것이든 그 기본적인 특성은 같다.
트랜지스터(Tr; transistor)에는 두 가지의 다른 형태가 있는데 하나는 이극 접합 트랜지스터(BJT)이고 다른 하나는 전계 효과 트랜지스터(FET)이다. 이극 접합 트랜지스터(two polarities)는 줄여서 바이폴라(bipolar) 접합 트랜지스터라고도 부른다. 이 두가지 형태의 트랜지스터는 동작 특성이나 내부 구조가 서로 다르다. 보통 바이폴라 접합 트랜지스터를 트랜지스터라 하고 전계효과 트랜지스터는 FET라 부른다. FET는 다시 JFET(junction FET)와 MOSFET(metal oxide smiconductor FET)로 불류할 수 있으며, MOSFET는 EMOS (enhancement MOSFET)와 DMOS(depletion MOSFET)로 분류된다.
BJT 는 NPN 형과 PNP 형이 있으며, FET 는 n-채널(channel)과 p-채널이 있다. BJT 는 전류를 구성하는 캐리어(carrier : 움직일 수 있는 ±전하)가 전자(electron)과 홀(hole) 두가지이기 때문에 바이폴러(bipolar)라는 명칭이 붙는다. NPN 형 BJT 는 전류를 구성하는 캐리어의 대부분이 전자(다수 캐리어)이고 홀은 소수이다(소수 캐리어). 반면에 PNP 형 BJT 는 전류를 구성하는 캐리어의 대부분이 홀이고 전자는 소수이다.
참고 자료
전자회로, 교보문고, Albert paul malvino, p211~238
전자회로, 진영사, 김태용 외, p261~303
최신전자회로, 진영사, 조재황, p75~78
알기쉬운전자회로 복두출판사 김영태 외 p148~150
고등학교 산업전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p19~23