기초전기실험6 결과보고서(토의사항) (RC, RL회로의 과도 응답과 주파수 응답)

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기초전기실험6 결과보고서(토의사항) 입니다.

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본문내용

실험 6-1 (1)_4 저항이 커지면서 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? 또, capacitance가 커질수록 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? 시정수로부터 구한 capacitance 값과 capacitor에 표시된 값이 잘 일치하는가? 시정수의 측정에서 파형 발생기와 oscilloscope의 내부저항이 미치는 영향은?
RC회로에서 회로의 응답시간을 나타내는 시상수는 저항과 capacitance의 곱셈으로 나타내어진다. 그렇기 때문에 저항과 capacitance의 값이 커지면 충전과 방전에 걸리는 시간이 길어지게된다. 또한 시정수를 구하는 공식을 사용해 구한 capacitance의 값과 capacitor에 표시된 값이 약간의 오차가 보이기는 하지만 대체로 일치함을 실험 데이터로부터 알 수 있다.
시정수 측정시에 파형발생기와 오실로스코프의 내부저항과 RC회로의 시정수 정으로부터 저항과 capacitance의 곱으로 나타내어지는 시정수가 이론으로 계산한 수치보다 더 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다.

실험 6-1 (1)_5 앞의 실험 과정 3에서 구한 파형과 어떻게 다른가? 그리고 그 이유는?
커패시터와 저항의 위치를 바꾼 뒤 직류전압성분이 없는 사각파 전압을 넣고 나타난 출력
파형을 보면 시정수가 짧아짐을 알 수 있다. 특히 100Hz, 1kHz, 10kHz의 직류성분이 없는
사각파 전압을 넣으면 일정 시간동안에 응답으로 나타나는 파형이 주파수가 높아지면서
많아짐을 알 수 있다.

실험 6-1 (2) capacotor와 스위치로 기억소자를 만들 수 있는가? 또, 읽고 나면 capacitor에 전하의 형태로 저장되었던 데이터가 없어져 다시 읽으면 “0”이 읽혀 원래의 데이터 “1”과는 달라지는데, 이 문제를 해결하는 방법은?
지금까지의 실험을 통하여 capacitor와 스위치로 기억소자를 만들 수 있음을 알 수 있다. 그리고 capacitor에 전하의 형태로 저장되었던 데이터가 없어지는 현상은 전류를 계속 공급함으로써 방전되기 전에 충전을 하는 방법으로 해결할 수 있다.

참고 자료

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