마이크로 칩 레이저(해석)

소개글

마이크로 칩 레이저에 대한 정의와 발전 과정이 간략하게 정리되어있는 자료 해석집 입니다.

by PHILIPPE JURY

목차

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본문내용

A compact source that produces a high-quality pulsed or continuous-wave beam, the microchip laser is benefiting from technological advances that are bringing output wavelengths deep into the UV.
PHILIPPE JURY

고질의 펄스 또는 CW빔을 생산해 내는 굉장히 밀집된 소스인 마이크로칩 레이저는 출력파장을 자외선 깊숙이 가지고 나오는 기술적 진보 이득을 얻고 있다.
Philippe Jury

The microchip laser was first demonstrated in 1989 by MIT Lincoln Laboratory (Lexington, MA). The laser comprised a thin solid-state gain material placed between two flat, parallel dielectric mirrors and was pumped by a strongly localized diode-laser source; it was shown to be capable of single-mode laser emission if the gain-material thickness was thin enough (see Fig. 1). In 1993, passive Q-switching in microchip lasers was first demonstrated using a saturable-absorber material placed within the cavity, which was kept monolithic, thanks to diffusion-bonding of materials.

마이크로칩 레이저는 1989년 MIT의 링컨 연구실(Lexington, MA)에서 처음으로 선보여졌다. 이 레이져는 얇은 고체 레이저 게인 메터리얼을 두개의 평평한 유전체 거울사이에 놓였고 강하게 집약된 다이오드 레이저 소스에 의해서 여기되어 진 것으로 이뤄졌다. 이것은 게인 메터리얼 두께가 충분히 두꺼울 때 단일모드 레이저 방출의 가능성을 보여 준다.(see Fig. 1) 1993년에 마이크로 칩 내의 수동적 Q스위치는 포화 흡수체가 공증기 안에 놓여짐으로서 처음으로 선 보여졌다. 이는 물질들의 디퓨전 본딩 덕분에 모노리틱을 유지한다.

참고 자료

PHILIPPE JURY is president of Cohessence, 15 Rue du Pal de Fer, 38240 Meylan, France; e-mail: [e-mail]; www.cohessence.com .