박막재료의 표면처리 및 PR제거

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론

본문내용

3. 실험 내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화 막의 색깔 변화를 관찰하여 식각여부를 확인하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.
4. 실험 절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 power를 선택 하여 식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 ashing 장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
5. 실험 이론
(1) 플라즈마
플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 `Langmuir`(랑위어)로서, 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단을 플라즈마라고 한다. 플라즈마란 소위 `제 4의 ‘물질상태`라고 알려져 있으며,우주의 99%가 플라즈마 상태로 이루어져 있다는 사실 또한 이미 잘 알려져있다. 물질 중 가장 낮은 에너지 상태는 고체이다. 이것이 열(에너지)을 받아서 차츰 액체로 되고 그 다음에는 기체로 전이를 일으킨다. 기체에 더 큰 에너지를 받으면 상전이와는 다른 이온화된 입자들, 즉 양과 음의 총 전하수는 거의 같아서 전체적으로는 전기적인 중성을 띄는 플라즈마 상태로 변환한다.

참고 자료

반도체공학, 윤현민 외 1인 저, 복두출판사, 2000
고체전자재료, 진병문 역, 다성출판사, 2001

http://www.semipark.co.kr
http://www.ksia.or.kr
http://www.google.co.kr
http://www.nanet.go.kr/ (국회도서관 소장자료실)
http://www.chemscript.net/