화학기상증착(cvd)

소개글

A+받은 레폿입니다.
화학 기상증착(CVD) 에대한 설명과 전반적 이론이
담겨있습니다. 총10장분량입니다

목차

*CVD의 정의
*CVD의 장 / 단점
*박막형성방법
*CVD Process를 control 하는 factor
*CVD장치
*CVD의 반응 메카니즘
*코팅과정과 반응장치
*CVD를 포함하는 복합 열처리
*응용 예

본문내용

CVD (Chemical Vapor Deposition)
*CVD의 정의
원료를 Gas 로 공급하여, 기상 또는 기판표면에 있어서의 화학반응에 의하여
박막을 형성하는 기술로써 다른 박막형성 방법에 비해 광범위하고 다양한 박막형성이 가능하며 SiO2, Si3N4 로 시작해서 다양한 재료로 확대 되고 있다.
외부와 차단된 반응실 안에 기판을 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛, 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition을 이루는 합성 공정을 말한다.
CVD는 다양한 유형의 층을 생산할 수 가 있는데, NH3와 SiCl2는 Si3N4층을 만들고 Si와 산소는 SiO2층을 형성하는데 사용된다. 실리콘과 금속을 섞은 특별한 재료는 실리사이드(silicide)라 불리우는 전도층을 형성하는데 사용되기도 하고 WF6를 이용해 WSi층을 만드는데 사용되기도 한다. 개선된 플라즈마 혹은 RECVD라고 불리우는 CVD의 변형은 필름의 침전물과 화학적 반응을 얻는데 요구되는 온도로 낮추기 위해 가스 플라즈마를 사용합니다. CVD챔버를 세척하는데는 일반적으로 NF3플라즈마를 사용하든데 여기서 묘사된 CVD는 `Cluster Tool`이라 불리우는 특별한 종류의 다중 체계 CVD이다. 연속적인(in-situ)공정을 할 수 있다는 것이다. CVD 반응기는 여러가지 모양과 구조를 가지고 있는데 AP/ LPCVD 증착에 사용되는 구조이다. CVD 프로세스는 보통 마스크와 복잡한 IC의 금속간 유전체박막을 만드는데 사용되어왔는데, 과도하게 도핑될 경우 준금속적인 성질을 지니는 다결정질 Si도 APCVD와 LPCVD를 사용하여 증착한다. APCVD, LPCVD 그리고 PECVD등 다양한 종류의 CVD등이 모두 IC 제조공정에서 전형적으로 사용되고 있다.

참고 자료

없음