epitaxy 공정

소개글

A+자료입니다
반도체공정중의 Eptaxy공정에대한 레포트 자료이구요
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목차

■ Epitaxy Technology
1. Epitaxy Technology의 정의:
2. 실리콘 에피택시( Silicon epitaxy)
2.1 CVD 에피층 성장의 기본 원리
2.2 CVD 실리콘 에피층 성장의 화학반응
2.3 선택적 에피성장(Selective epitaxial growth)
2.4 MBE(molecular beam epitaxy) 실리콘 에피성장
3. 갈륨 비소 에피택시 (GaAs epitaxy)
3.1 기상 에피택시(VPE)
3.2 금속 유기물 화학 기상증착(MOCVD)
3.3 액상 에피택시(LPE)
3.4 분자빔 에피택시(MBE)
■ 참고 문헌

본문내용

■ Epitaxy Technology
1. Epitaxy Technology의 정의:
- 기판 웨이퍼 위에 격자 상수가 동일한 단결정 층이 성장하는 것을 에피택셜 성장(Epitaxial growth)이라고 한다. 그리스어 "epitaxial" 이란 말은 "Epy(upon)", "taxy(ordered)" 즉 "arranged upon"에서 나온 말이다.
Epitaxy는 기판과 성장 결정의 재료의 차이에 따라서, 성장되는 결정이 기판 결정과 같은 물질인 경우인 동동 에피택시(Homoepitaxy)와(결정격자 구조는 기판과 같으나 물질의 조성, 도핑형태나 도핑농도 등은 다르게 성장시킬 수 있다.) 결정들이 서로 유사한 격자 구조를 갖지만 다른 물질인 경우인 이종 에피택시(Heteroepitaxy)로 구분된다.
그리고 relaxed 이종 에피택시의 구조들을
모식화한 그림들이다. lattice-matched
이종 에피택시는 구조상 동종 에피택시와
유사한 모습을 보인다.>
- 성장 방법은 기상 에피택시(VPE : vapor phase epitaxy), 액상 에피택시(LPE : liguid phase epitaxy), 분자선 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy) 등 3가지로 나눌 수 있다. 기상 에피택시(VPE : vapor phase epitaxy)는 주로 실리콘 에피층 성장에 사용되나 Ⅲ-Ⅴ 족 에피택시 성장에도 많이 사용된다. LPE는 Ⅲ-Ⅴ 족이나 Ⅱ-Ⅵ 족 등 화합물 반도체 에피택시 층 성장에 사용되며, 분자선 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy)은 초고진공(10-11 torr 이하) 장치 내에서 원료 물질을 증발시켜 기판에 증착시키는 물리적 증착 기술 즉, PVD 기술의 하나이다.
- 이러한 성장 방법들에 의해 Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다.
다음 Section부터 실리콘 에피택시와 갈륨비소 에피택시의 경우를 예로 들어, 위의 에피택시 성장법에 대해 기술 하고자 한다.

참고 자료

- 반도체 공정 기술 (황호정 저- 생능 출판사)
- 실리콘 집적회로 공정기술의 기초(이종덕 지음- 대앙사)
- Materials Science of Thin films (ohring- 박막 수업 교재)