박막증착
- 최초 등록일
- 2008.06.27
- 최종 저작일
- 2006.06
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소개글
박막증착공정에서 물리적증착방법인 이온 sputtering 증착공정의 원리를 이해하고 이를 이용하여 증착박막의 특성을 분석한다.
목차
Ⅰ.서론
1. 실험 목적 및 배경
Ⅱ. 본론
2. 실험 이론
3. 실험 장치 및 도구
4. 실험 방법
5. 실험 결과
Ⅲ. 결론
6. 결론 및 고찰
Ⅳ. 참고문헌
본문내용
2.1 박막제조공정(Thin film process)의 개요
Thin film process란 thin film deposition(증착)과 photolithography(사진식각) 기술을 이용하여 원하는 형상의 회로를 형성하는 일련의 과정을 말한다. Thin film deposition이라 함은 증착하고자 하는 물질(metal, dielectric, insulator, polymer 등)을 수 십 ~ 수 천 A(1 A = 10-4 micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학증착), MOCVD, MBE 등이 있다. Thin film deposition과 더불어 thin film process의 핵심이라 할 수 있는 photolithography란 사진 현상 및 식각 기술을 이용하여 deposition되어 있는 film을 미세 회로 형상으로 구현하는 일련의 과정을 뜻한다.
2.2 기판의 세척방법
기판의 세척은 그위에 생기는 박막의 성질에 영향을 미친다. 기판위의 오염이 어떠한 것이며, 박막의 물성에 어떻게 영향을 미치는가에 관해 물리적인 평가가 되어있지않다. 글라스는 기판으로서 극히 잘 이용되는 재료이다. 세척과정은, 오염을 기판에서 떨어뜨리는 과정외에, 오염을 떨어뜨리기 위한 매질을 제거, 건조하는 과정이 포함되는 경우가 많다.
참고 자료
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3. 이홍로, 표면공학, 형설출판사, 1999년, 328-376
4. http://www.iljinnanotech.co.kr/kr/material
5. http://mst.ajou.ac.kr/PROF/LeeSoonil/lab_1.html
6. http://www.thinfilm.co.kr/qna/qnaview.asp?tname=&page=2&idx=24