MOSFET 원리와 CV와 IV
- 최초 등록일
- 2008.07.01
- 최종 저작일
- 2008.07
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소개글
MOSFET 원리와 CV와 IV에 대해서 조사하였습니다, 많은 도움 되셨으면 합니다.
목차
1. MOSFET의 기본 원리
2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3. C-V curve
4. I-v curve
5. REFERENCE
본문내용
1. MOSFET의 기본 원리
Bipolar Junction Transistor의 동작원리는 Base와 Emitter간에 순방향이 인가될 때 Emitter에서 방출된 전자 또는 정공이 base를 minority carrier로써 지나서 Collector로 넘어가는 것으로 base의 전압을 이용하여 Emitter에서 방출되는 전자 또는 정공의 수를 조절하게 된다. 이런 BJT와 대응되는 Transistor가 MOSFET으로 BJT의 Emitter, base, collector 단자에 대응되는 Source, Gate, Drain 단자가 있다. 따라서 BJT에서 Base를 이용하여 Emitter와 Collector간에 흐르는 전류의 크기를 조절하듯이 MOSFET에서는 Gate를 이용하여 Drain과 Source사이에 흐르는 전류를 조절하게 된다.
MOSFET과 BJT의 큰 차이점은 BJT의 Base에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 Gate에는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. MOSFET는 기본적으로 Capacitor 원리를 이용한다고 생각하면 된다. [그림 1]과 같은 Capacitor가 있다고 가정하면 이 Capacitor의 Capacitance는 (식 1)과 같이 표현되고 단위 면적 당 Capacitance, C
참고 자료
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000
- http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm
- http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php