[실험5] MOSFET 측정과 응용

목차

Ⅰ 실험 목표
Ⅱ 부품과 실험 장치
Ⅲ 기초 이론
Ⅳ 실험 절차

본문내용

① 다양한 저항값
② 0.1 ㎌의 커패시터
③ 전원 장치
④ DVM
⑤ 두개의 전원 공급 장치(100uF 전해나 탄탈 과 1uF 세라믹 캐패시터를 병렬로 전원에 연결하여 사용할
것, 이렇게 하여 저주파 및 고주파에서 전압원이 ac 적으로 접지와 낮은 임피던스로 연결되게 만듦)
⑥ 파형발생기
⑦ 10 배율 탐침이 있는 2 채널 오실로스코프
그림 5.1 4770 MOS 배열: a)기본 도식도, 윗면도;b)핀 배열, 기판-방향의 기호;c)핀 배열, 간략화한 모습
Ⅲ 기초 이론
교과서 5.1, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6 (4th Ed.)
교과서 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 (5th Ed.)
Ⅳ 실험 절차
디바이스 확인
이어질 두 실험의 목적은 MOS 소자의 파라미터를 빠르게 구하는 방법을 익히는 것이다.
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정
목표 : 문턱전압 Vt와 를 신속하게 구하는 방법을 익힌다.
그림 5.2 p-채널 디바이스의 V t 측정
실험 장치 :
○ 그림 5.2 의 회로를 꾸미시오. 14 번 핀은 +10V 에 7 번 핀은 접지에 연결하고, 나머지 핀들은 그대로
둔다. 1 번 핀과 2 번 핀을 잠시 연결한 상태에서 DVM 을 보면서 전원전압을 10V 로 조정하시오.
측정 :
a) 접지에서 노드 A 까지 전압 V
AO를 측정하고 Vtp를 계산하시오.
c) 10 ㏀ 가변저항을 DVM 에 병렬로 연결하고 DVM 의 전압이 1V 정도가 되도록 가변저항을 조정한다.

참고 자료

없음