트랜지스터 증폭기 실험 예비보고서 피스파이스 시뮬레이션 결과파형포함

소개글

트랜지스터 증폭기 실험 예비보고서 피스파이스 시뮬레이션 결과파형포함
관련이론 및 시뮬레이션 캡쳐화면 포함

목차

1. 실험주제
2. 실험목적
3. 관련이론
4. 실험의 이론적 결과
5. 실험에 사용될 소자

본문내용

실험 1. 트랜지스타 증폭기 실험

1. 관련 이론 및 수식정리

(1) 전압 배분기 바이어스 회로
가장 폭럽게 사용되는 바이어스회로이다. 베이스회로가 전압분배기 R1과 R2를 포함하고 있기 때문에 이 회로를 전압분배 바이어스라고 한다.
고장 수리나 예비해석의 경우 다음 방법을 이용한다. 잘 설계된 VDB 회리에서 베이스전류는 전압분배기에 흐르는 전류보다 훨씬 적게 흐른다. 베이스전류는 전압분배기 전류보다 무시할 정도로 전ㄴ압분배기와 베이스를 개방싱켜 놓을 수 있다. 이 횔에서 R2 양단전압은

이상적인 경우 이 전압은 베이스 전원전압이 된다.
전압분배 바이어스는 실제로 이미터 바이어스의 변형이다. 그래서 VDB는 이미터 전류를 일정하게 하여 Q점이 전류이득에 무관하게 고정된다.
VDB 해석에 이용할 수 있는 수식들ㅇ르 요약하면 다음과 같다.

이 식들은 옴의 법칙과 Kirchhoff의 법칙에 기초하고 있으며, 해석하는 단계는 다음과 같다.
1. 전압분배기로부터 베이스전압 를 계산한다.
2. 이미터 전압을 구하기 위해 0.7V(의 경우는 0.3V)를 빼준다.
3. 이미터 전류를 구하기 위해 이미터 전압을 이미터 저항으로 나눈다.
4. 컬렉터 전류는 대략 이미터 전류와 같다고 가정한다.
5. 컬렉터 전원전압에서 컬렉터 저항 양단전압을 빼줌으로써 컬렉터 전압()을 계산한다.
6. 컬렉터 전압에서 이미터 전압을 빼줌으로써 컬렉터와 이미터 사이의 전압()을 계산한다.

2) 종속접속시스템 ( cascaded system )

좀 더 큰 전압이득을 얻기 위하여 두 단 이상의 증폭기를 종속접속 할 수 있다. 이는 첫 번째 증폭단ㅇ의 출력을 두 번째 증폭단의 입력으로 이용한다는 것을 의미한다. 다음에는 두 번째 증폭단의 출력이 세 번째 증폭단 등등으로 이용될 수 있다.

참고 자료

없음