FET(field effect trasistor) 실험

소개글

FET(field effect transistor)에 대하여 알아보고 두 개의 터미널 사이의 전압을 FET컨트롤을 통하여 전류의 흐름을 관찰한다. 그리고 전류를 조절하여 전기장에 근거한 터미널을 조정하여 전압값의 변화 등을 관찰한다. 회로를 구성하고 AC와 DC전압을 걸어준 후 값을 변화시키면서 여러 가지를 측정하고 관찰하며 실험해 본다.

목차

1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고

본문내용

1. 실험의 목표
FET(field effect transistor)에 대하여 알아보고 두 개의 터미널 사이의 전압을 FET컨트롤을 통하여 전류의 흐름을 관찰한다. 그리고 전류를 조절하여 전기장에 근거한 터미널을 조정하여 전압값의 변화 등을 관찰한다. 회로를 구성하고 AC와 DC전압을 걸어준 후 값을 변화시키면서 여러 가지를 측정하고 관찰하며 실험해 본다.

2. 기본이론
Field Effect Transistor
FET는 field effect transistor 의 줄임말이며, JFET(Juntion Field effect Transistor)와 MOSFET(Metal-oxide Semiconductor Field effect Transistor)로 나뉜다. MOSFET은 또한 D-MOSFET(The depletion type MOSFET)과 E-MOSFET(The enhancement type MOSFET)로 나뉜다. 여기서 JFET란 BJT트랜지스터에 비하여 높은 입력저항을 가지며, 이것의 동작은 PN접합에 근거한다. MOSFET도 마찬가지로 높은 입력저항을 가지게 되고 말그대로 DMOSFET는 Vgs를 소모시키며 EMOSFET는 증가시키게 된다. FET의 구조는 다음 그림과 같다.
FET는 증폭기로서의 특성과 스위칭 작용으로서의 특성을 가지고 있는데, 증폭기로서의 특성은 Saturation지점을 결정하게 되며, 스위칭 작용으로서의 특성은 Triode지점과 Cutoff지점을 결정하게 된다. 여기서 MOSFET의 전압-전류 관계에 따른 특성은 다음 그래프와 같이 나타내어진다.

참고 자료

<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo>