제3장 박막 트랜지스터(TFT)

소개글

제3장 박막 트랜지스터(TFT)
Thin Film Transistor
절연성 기판 위에 반도체 박막을 이용하여 만든 전계효과트랜지스터(FET)
전계효과란?
반도체 내의 캐리어(전자 또는 정공)들이 인가된 전계에 따라 (+)쪽에는 (-)캐리어인 전자가 모이고, (-)쪽에는 (+)캐리어인 정공이 모여서 전기를 흘릴 수 있는 도전성 채널을 만들어 주는 현상
FET(Field Effect Transistor)란?
반도체의 소스에서 집전극의 드레인에 흐르는 전자류를 게이트에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것. 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것.

목차

1. 박막트랜지스터(TFT)의 역사 및 배경
2. E-MOSFET
3.1.1 수소화된 비정질 실리콘
3.1.2 수소화된 비정질 실리콘의 박막 특성
3.1.3 비정질 박막 트랜지스터(a-Si TFT)의 구조
3.2 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정

본문내용

전계효과란?
반도체 내의 캐리어(전자 또는 정공)들이 인가된 전계에 따라 (+)쪽에는 (-)캐리어인 전자가 모이고, (-)쪽에는 (+)캐리어인 정공이 모여서 전기를 흘릴 수 있는 도전성 채널을 만들어 주는 현상
FET(Field Effect Transistor)란?
반도체의 소스에서 집전극의 드레인에 흐르는 전자류를 게이트에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것. 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것.
1. 박막트랜지스터(TFT)의 역사 및 배경
단자 : 게이트(gate), 드레인(drain), 소스(source)
주된 기능 : 스위칭 동작
동작 원리 : 소스와 드레인 사이에 흐르는 전류를 제3의 전극인 게이트에 인가하는 전압(게이트전압)을 조절하여 도통(on) 또는 불통(off) 상태로 스위칭 동작을 함
응용 : 센서 기억소자, 광소자, 능동행렬형(Active Matrix : AM) 평판 디스플레이의 화소 스위칭 소자 등
AM-LCD : 화소내의 각각의 박막 트랜지스터에 의해 구동전압이 조절되어 화소의 켜짐과 꺼짐 그리고 투과도를 변화시킴
MOSFET(Metal-Oxide-Substrate FET또는 Substrate FET)
금속-산화물(절연체)-반도체 전계 효과 트랜지스터
반도체로 Si, insulator(절연체)로 SiO2, 게이트 전극으로 금속이나 과도하게 도핑된 다결정 실리콘을 사용
전압에 의해 제어, 단극성 트랜지스터
복잡한 디지털 집적 회로 설계에서 주로 사용
MOS의 특징
BJT 구조보다 간단 : 제조기술이 간단
높은 집적도 : 소자의 분리(isolation)에 별도의 공간이 필요하지 않음
이상적인 구조
금속 게이트는 등전위영역 (equipotential region).

참고 자료

없음