소개글
반도체 공정에 사용을 위해 개발된 니켈실리사이드가 적외선을 흡수하는 보고가 있습니다.
본 논문은 반도체 공정에 사용을 위해 연구중이던 니켈코발트 복합실리사이드의 적외선 흡수와 미세구조를 연구한 논문입니다.
목차
Abstract
1.서론
2.실험방법
3.실험결과및 고찰
4.결론
감사의 글
참고문헌
본문내용
나노급 두께의 니켈코발트 합금형태 박막으로부터 제조된 합금복합실리사이드가 기존 니켈코발트 실리사이드의 적외선 흡수에 대한 에너지 절약형소재의 가능성을 평가하여 보았다. 10 ㎚-Ni50Co50/(poly)Si 및 10 ㎚-Ni/(poly)Si 구조의 시편을 500~1100℃에서 40초간 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드를 제조하였다. 제조된 실리사이드를 TEM을 통하여 미세구조분석과 사점전기저항측전기를 이용하여 면저항을 측정하였으며 그리고 XRD를 이용하여 상분석을 실시하였다. UV-VIS-NIR과 FT-IR을 사용하여 근적외선(850~2500 ㎚)과 중적외선(2500~15000 ㎚)영역의 흡수스펙트럼을 분석하였다.
TEM을 통해 관찰한 결과 단결정기판 상부에 증착된 니켈코발트 실리사이드는 기존 니켈실리사이드보다 13~15 ㎚두께로 균일하게 생성되었으며 다결정 기판에 형성된 니켈코발트 실리사이드는 700℃까지 23~25 ㎚ 두께로 균일하였으나 1000℃에서는 실리콘과 실리사이드가 혼합되어 주상정형태로 형성되면서 니켈실리사이드같은 불균일한 실리사이드박막을 형성하였다.
니켈코발트실리사이드와 니켈실리사이드는 근적외선 영역에서 단결정 실리콘기판보다 다결정 실리콘기판에서 형성된 실리사이드가 1800 ㎚파장대까지 우수한 흡수율을 보였다. 중적외선 영역에서도 근적외선 영역에서와 같이 우수한 적외선 흡수율을 보였으며, 특히 1000℃의 다결정 실리콘기판에서 형성된 니켈코발트 실리사이드가 기존 니켈실리사이드보다 중적외선 영역을 감소하는 영역이 없이 우수한 흡수율을 보이고 있었다.
기존의 니켈실리사이드와 비교한 결과 니켈코발트 실리사이드는 근적외선 영역과 중적외선영역에서 비슷한 흡수도를 보였으며 1000℃의 다결정 실리콘기판 상부에 형성된 니켈코발트 실리사이드가 기존의 니켈실리사이드보다 근적외선영역과 중적외선영역에서 우수한 흡수도를 보였다.
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