[전자회로실험] 트랜지스터의 DC 특성 예비레포트

소개글

트랜지스터의 DC 특성 예비레포트

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 기초이론

본문내용

1. 실험제목 : 트랜지스터의 DC 특성
2. 실험목적
1) Transistor의 바이어스에 익숙해진다.
2) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 바이어스가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다.
3) ICBO를 측정한다.
4) CE 구성에 대한 VCE 대 IC 특성 곡선을 실험적으로 결정한다.
5) β값을 결정한다.
3. 기초이론
접합 트랜지스터(junction transistor)는 두 개의 pn접합이 아주 가까운 간격으로 배치된 것과 같은 물리적 구조를 가지고 있다. 이들은 반도체층의 배열순서에 따라 npn 또는 pnp트랜지스터라고 하며 3개의 반도체층을 차례로 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector)라고 한다. 여기에서 에미터는 두텁게 도핑되고, 베이스는 0.02mm정도로 대단히 얇게 도핑된다. 콜렉터의 도핑 레벨은 에미터와 베이스 사이의 중간 정도이다.
n
p
n
에미터
베이스
콜렉터
p
n
p
에미터
베이스
콜렉터

트랜지스터를 구성하는 2개의 pn접합에서 첫 번째 접합은 에미터-베이스 접합이며 순방향 바이어스 상태에서 동작한다. 여기에서 에미터는 움직일 수 잇는 전하 캐리어원의 역할을 하고, 에미터와 베이스 사이의 전압이 베이스로 확산해 들어가는 전류를 제어한다.
두 번째 접합은 콜렉터-베이스 접합으로 역바이어스 상태에서 동작한다.
지금부터 npn트랜지스터에서의 전류의 흐름에 대하여 알아본다.
순방향 바이어스가 에미터-베이스 접합에 걸리는 순간에는 에미터내에 있는 전자들이 아직은 베이스에 들어가지 않고 있다.
n
p
n
전자들의 주입
소수의
전자들의 흐름
다수의 전자들의 흐름
-
VEB
+
+
VEB
-

참고 자료

없음