반도체 진공 장비(DRY ETCHER 장비)

소개글

반도체 공정 장비 DRY ETCHER 에 사용되는 장비와 그 장비의 스펙과 역활 구조 원리등을 정리한 자료입니다. 제가 직접 작성하였구요. 반도체 장비 회사 다닐적에 힘들게 수집하고 정리한 자료라 에처 장비에 실제로 사용되는 장비들의 내용을 열심히 정리했습니다. 반도체 공정 및 LCD, 플라즈마, 진공에 관해 학습하는 분들에게 중요한 자료가 될거 같아 올려 드립니다.

목차

♦Pendulum valve

♦APC (adaptive pressure controller)

♦TMP (turbo molecular pump, 터보 분자 펌프)

♦Vacuum gauge(Baratron Capacitance Manometer)

♦Flow & Pressure Controller (GMC1000)

♦quadrupole mass spectrometer (HIDEN ANALYTICAL HAL 510 S/2, 질량분석기)

♦RF Power Supply (Advanced Energy RFX∥ 3000)

♦RF Power Supply, Matching Network (Advanced Energy TCM II)

♦Chiller

♦Scrubber

♦HVDC

♦MFC(Mass Flow controller)

♦Dry Pump

본문내용

플라즈마 식각 장치에서 챔버 내부의 가스들을 균일하고 대칭적으로 배출시키기 위한 배기장치에 관한 것으로서, 바닥에 배기홀을 가지는 챔버와, 챔버 하부에 설치되는 배기탱크와, 챔버와 배기탱크 사이에 설치되는 진자 밸브 실린더와, 진자 밸브 실린더 내부에서 왕복 운동하는 진자밸브를 포함하는 배기시스템을 제공 한다.

♦APC (adaptive pressure controller)

선진제어시스템은 APC 또는 MPC란 이름으로 생산량 증가, 수율 개선, 운전비용 감소, 품질의 일관성 유지, 운전의 유연성, 공정의 안정성 개선을 목적으로 1980년대부터 많이 적용되었다.

♦TMP (turbo molecular pump, 터보 분자 펌프)

터보 분자 펌프는 블레이드의 회전에 의해 분자에 운동량 전이가 일어나고 이때 분자가 원하는 방향으로 튀어 나감으로써 배기가 이루어진다는 간단한 원리를 가지고 있다. 일반적인 터보 분자 펌프의 구조를 나타내었다. 날의 각은 배출구 쪽으로 갈수록 더 많이 기우는데 이는 흡입구에서는 진공용기와의 압력차가 크지 않고 또한 많은 기체를 받아들일 수 있도록 하기 위함이고 배출구 쪽에서는 압력차가 커지기 때문에 이를 유지하기 위함이다.
고정자는 역류를 방지하는 baffle의 역할과 함께 회전자에서 튀어나온 분자를 아래쪽을 향하도록 각을 유지하고 있다. 터보 분자 펌프는 고속으로 회전하는 날이 작은 입자나 부스러기에 의해 쉽게 손상을 입을 수 있고, 또 고속 회전 시 각 속도가 회전축으로 크게 걸려 작은 충격에도 망가질 수 있으므로 사용에 각별히 주의해야 한다.

♦Vacuum gauge(Baratron Capacitance Manometer)

압력변화 - 격막변위 - 전기용량변화

바라트론 캐패시턴스 마노미터는 일반적으로 ±15 volt의 파워를 필요로 하고 0-10 volt 압력 시그널(압력에 직접적으로 비례하는)을 가지는 압력 트랜스듀서다.
압력은 격막과 인접한 두 개의 고정된 전극사이에서의 캐패시턴스 변화로 결정된다.

참고 자료

반도체 공정
반도체 진공
VAT
MSK
메뉴얼 참조 등...