Crystal Growth

소개글

결정성장과 웨이퍼에 대한 글입니다.

목차

1. Wafer Preparation (Crystal Growth)

2. Czochralski (single crystal) growth 와 Flating Zone growth의 비교

3. CZ Grower (Puller)

4. Pull speed, Segregation Coefficient

5. Wafer shaping>grinding/ lapping/ ething/ polishing

6. Current and Future Trend of Wafer diameters in microeletronics

7. Manufacture of Si wafer( domestic/international )

본문내용

1) Czochralski (single crystal) growth
1번에서 사용한 방법이 초크랄스키법인데 간단히 요약해 보자면 결정인상법이라고도 하며
융액으로부터 단결정을 육성하는 방법이다.
창시자의 이름을 따서 초크랄스키법, 나켄법, 키로플러스법 이라고도 한다. 이 방법은 단결정 육성법 중에서는 가장 원리 ·장치가 확립되어 있으며, 그 순서는 도가니 속의 용융액에 씨결정을 담근 후에 용융액온도의 균일성 및 비등방성장 방지를 목적으로 도가니 또는 결정을 회전시키면서 서서히 끌어올려서 결정을 육성한다. 얻은 결정은 도가니에 구애받지 않고 자유로운 상태에서 성장하므로 비교적 완전성이 양호하다고 할 수 있다. 결정 형상이나 성질은 인상속도(성장속도) ·회전속도 ·온도기울기 또는 결정방위에 의하여 지배되므로 이들에 대한 적절한 제어가 가장 중요하다. 또 인상에 따라 용융액의 조성변화가 생기는 경우에는 대용량의 도가니나 부유 도가니가 사용된다. 규소나 게르마늄 단결정은 주로 이 방법으로 큰 것을 생산하고 있다.

참고 자료

www.microlab.ch/courses/cbt/cbt-fab/wafer_prep_1.html
http://www.physics.uc.edu/~jph/emma/growth.html
http://web.skku.edu/~material/publication
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