전자회로실험) mosfet 특성 결과레포트

소개글

결과값 및 피스파이스 실험고찰

목차

◎ 실험결과

◎ 고찰

본문내용

◎ 고찰
이번 실험은 MOSFET의 세 단자인 소스(Source:S), 게이트(Gate:G), 드레인(Drain:D)의 특성을 알아보는 실험이었다. PSPICE Simulation 이론값과 실험 결과값의 오차가 엄청 크게 나타났다. 그 이유를 살펴보면, 가장 큰 이유는 멀티미터에 있다. 우리가 실험을 했던 장소의 디지털 멀티미터가 자꾸 오류가 발생하여 측정을 하면 값이 떨어지는 현상이 나타났다. 그리하여 조교님의 허락을 받고 측정을 하였을 때 나타나는 초기값을 측정값으로 설정하였기 때문이다. 또한, 그 초기값을 사람의 눈으로 판단하기 때문에 초기값들을 정확히 체크할 수는 없었기 때문이다. 이번 실험은 회로 구성도 엄청 간단하여 금방 끝낼 줄 알았는데 측정을 해야할 값들이 많았기 때문에 시간에 쫓겨서 오래 걸렸다. 이번 학기가 시작된지 벌써 3번째 실험이었는데 역시나 마찬가지로 다른 조가 끝날때까지 몇 번이고 실험을 하다가 결국 다른 자리로 옮겨서 실험을 하여서 약간 아쉬움이 남았다. 정확한 실험을 위해서 장비들을 개선할 필요가 있을 것 같다. FET 특성곡선그래프는 전 학기에 배웠던 BJT 특성곡선그래프와 비슷하였다.
게이트(G)-소스(S)사이의 전압 즉, 가 0V 인 경우 이 FET 트랜지스터는 Cut-Off 의 영역이므로 0mA 가 나옴을 알 수 있었고 가 1.0V씩 증가함에 따라 이 트랜지스터가 Saturation에서 동작하는 위치가 달라지며 Non-Saturation 즉, Triode 영역이 가 증가함에 따라 점점 늘어남을 확인할 수 있었다.

참고 자료

없음