전자회로실험) mosfet current source 예비레포트

소개글

예비내용 및 피스파이스, 분석

이건 다른 레포트에 비해 조금 허접하네요 ^^ 그래서 가격 싸게 올려요.

목차

없음

본문내용

◎ 실험목적
MOSFET의 동작특성에 대한 이해를 바탕으로 한 Current Source의 설계를 이해한다.

◎ 실험이론
Independent Current Source는 회로 설계에 있어서 기초적인 설계 블록 중 하나이다. 이번 Chapter에서는 그림1과 2에서의 FET를 기초로 한 두가지 타입의 Current Source의 동작에 중점을 둔다.

이 회로들은 Load에 흐르는 전류가 Load의 크기에 의하여 영향 받지 않고 Reference와 Load MOSFET의 Gate-Source간의 전압 차에 의해서만 결정되도록 설계되었다. Reference의 Gate-Source 간의 전압은 총 공급된 전압, MOSFET의 속성, 채널의 Width와 Length비 ()의 함수이므로 Load의 크기와 무관하다. 이 Current Source는 Reference Current와 같은 크기의 Current를 효과적으로 Load에 흐르게 하여 일반적으로 Current Mirror라고 한다. 그림 1에서의 네 개의 MOSFET의 크기가 동일할 때 Load Current는 거의 같지만, 그림 2의 경우 Load Current는 Reference보다 작다. Current Mirror의 분석 및 설계 시에 MOSFET의 크기가 동일하다고 가정하면 Threshold Voltage, 포화상태 상수(K), 비의 변화는 고려하지 않아도 된다.
Reference 과 는 Gate와 Drain이 연결되어 Gate-Source의 전압과 Drain-Source의 전압이 같다. 그러므로 두 트랜지스터는 포화영역에서 동작하게 된다. 인 상태가 되고 임 동일한 트랜지스터 사용 시에 가 되고 KCL에 의하여 이 된다.

참고 자료

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