MOS Transistor의 특성

소개글

MOS Transistor의 특성에 대해 간단히 정리한 리포트 입니다.

목차

MOS transistor
(1)선형 영역의동작
(2)포화 영역

본문내용

MOS transistor
Metal Oxide Semiconductor의 약어로 그 구조가 금속(Metal), 실리콘 산화막(Oxide), 반도체(Semiconductor)의 순으로 되어 있어서 MOS로 불린다.

게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전계 의하여 전자 또는 정공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인 전류를 제어하는 트랜지스터이다.
Bipolar 트랜지스터가 base에 인가되는 전류의 양에 따라 제어되는 것과는 다르게 MOS 트랜지스터는 gate의 전압 수위에 따라서 제어 된다.Gate 밑 부분을 채널 이라 하며 채널의 전도성은 gate에 인가되는 전압에 의해 제어 된다.P형기판인 실리콘에는 전류의 자유 전자의 수가 매우 적으므로 전압을 가해도 기판의 저항이 너무 크기 때문에 전류가 흐를 수 없다. 그러나 게이트 전압을 가하면 중간의 절연체인 Oxide 때문에 전류가 흐를 수 없다가 기판과 Oxide경계면에 전자가 모이게 되어 전도 채널 (Conduction channel)이 형성되어 전류가 통하게 된다.

참고 자료

없음