포토리소그래피(photoresist)

소개글

포토리소그래피에 관련된 실험 레포트 입니다.

목차

1. 개요
2. 목적
3. 이론
4. 실험장치
5. 실험순서
6. 결과 및 고찰
7. 용어정리
8. 참고문헌

본문내용

[ 개 요 ]
포토레지스트(Photoresist)는 설계된 회로를 웨이퍼에 전사시킬 때 빛의 조사 여부에 따라 달리 감응함으로써 미세 회로 패턴을 형성할 수 있도록 하는 노광 공정용 감광재료를 말한다. 제작된 장비와 Spin coater, 현미경을 이용하여 다음과 같은 기본적인 실험을 행할 수 있다.
a. Spin coater 의 RPM 에 따라 PR의 두께를 조절하여 동일한 노광시간에 따른 Patterning 정도를 파악하는 실험
b. UV 노광시간에 따른 Pattern의 두께와 Pattern의 Profile 관찰 실험
c. 최적의 Develop(현상) Time 구현 실험

[ 목 적 ]
Photoresist의 기본적이 특성을 알고, Mask layout에 따른 패턴형성과 선폭, 두께, resolution, Profile 특성을 분석을 목적으로 한다. 또한 UV 노광시간과 Develop time이라는 변수를 두어 Patterning의 정도를 분석한다.

[ 이 론 ]
1. Lithograpy
■ 정 의
- Micro 및 Nano scale의 미세패턴이나 현상을 그대로 복제하거나 각인(Imprint) 전사하는 기술
- 고온 또는 가열공정이 필요 없는, 상온 저압 가공 기술
- 반도체 미세회로 및 Micro Optics 등의 Photo Lithograpy 공정개선 / 대체가능

■ 기술개요
▲ 광 이용효율의 향상 및 휘도 증대
기존 시트의 구조적 문제로 인한 광의 계면반사 및 Back Scattering Loss 많다.
미세패턴의 성형표면 및 형상 등, 정확한 구현이 되지 않는다.

▲ 고온, 고압 공정에 의한 형상왜곡 및 신뢰성 극복
확산시트의 Beads 탈락에 의한 이물 및 외관 저해
사출 성형품의 수지변형에 의한 패턴 구현의 한계 (Depth, Angular sharpness)
▲ 원가절감에 의한 경쟁력 제고
3M社 독점 제품인 Prism (BEF) 시트의 절감 및 대체제품 필요성
특히 중대형기종에 대한 기존 Stamper사출의 개발 / 생산성 문제

참고 자료

1. 반도체 공학(윤현민, 이형기) - 복두출판사
2. 반도체 공정 및 측정(김형열) - 전자자료사
3. 실리콘집적회로 공정기술(이종덕) - 대영사
4. 반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망(데이콤 산업연구소)