포토리소그래피(Photolithography)

소개글

포토리소그래피에관한 용어및 개념정리,이론관련 레포트입니다.

목차

- 사진공정 (Photolithography) -
가. 개 요
1. Photoresist coat (PR 코팅)
2. Soft Bake(소프트 베이크)
3. Photo exposure(노광)

본문내용

포토리소그래피(Photolithography)
- 사진공정 (Photolithography) -
가. 개 요
사진공정은 마스크 상에 설계된 패턴을 공정제어 규격 하에 웨이퍼 상에 구현하는 기술이다. 이를 위해 패턴이 형성된 마스크를 통하여, 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 광감응제가 도포 되어 있는 웨이퍼 상에 노광 시켜 광화학 반응이 일어나게 되며, 다음 현상 공정시 화학반응에 의해 패턴형성을 한다. 형성된 감광막 패턴은 후속공정인 식각 또는 이온주입시 barrier 역할을 하게 되어 최종적으로 chemical이나 식각용 O2 플라즈마에 제거된다.

ex) 양성감광막-녹아 없어진다./음성감광막 - 남는다.
노광기술과 CMP와 연관에서는 아주 중요한 관계가 있다.
R = K1(λ/NA) 에서 해상도를 높이기(Small R)위해서는
- NA를 크게 한다.
- 파장 λ 작게 한다.
- K1을 작게 한다.

그러나 여기서 DOF (DEPTH OF FOCUS)가 낮아지게 된다. 그 이유는
D = K2(λ/NA²)
에서 - 앞서에서의 파장λ을 작게 하면 DOF값도 작아지기에 문제가 된다.
이렇게 DOF가 감소하게 되면 다층배선구조를 가지는 반도체 디바이스 제조시표면에서 단 차가 발생하여 동일한 패턴을 형성하는데 어려움이 뒤따르게 된다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 표면을 평탄화 하는 공정이 등장하였고 이 기술의 중요성은 나날이 증가하고 있다.


1. Photoresist coat (PR 코팅)

PR coating이라 함은 분사된(dispense) liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화·제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.

참고 자료

없음