nMOSFET의 문턱전압 및 바디 바이어스

소개글

nMOSFET의 문턱전압 및 바디 바이어스효과 의 실뮬레이션

목차

1. Lab 3-1-1 : nMOSFET의 문턱전압 및 바디 바이어스
효과 의 실뮬레이션
2. Lab 3-1-2 :　nMOSFET 의 I-V특성 실뮬레이션
3. Lab 3-2-1 :　CMOS 인버터의 전압전달 특성 VTC plot
1. Vin -Vout 출력 파형 plot
2. Vin - Id 의 출력 파형 plot
3. 5개의 동작점 VOH VOL VIH VIL VINV을 구할 것
4. NMH NHL을 구할 것.

2. Lab 3-2-2 : CMOS 인버터

3. Lab 3-2-3 :　CMOS 인버터의 천이 시간 시뮬레이션

고찰

본문내용

1. Lab 3-1-1 : nMOSFET의 문턱전압 및 바디 바이어스
효과 의 실뮬레이션
- 전원 : Vdd는 DC[5V] 사용
- Vsb = 0[V],1[V],3[V],5[V]에 대해 시뮬레이션(독립된 4개의 nMOSFET을
한 회로에 넣고 실뮬레이션)
- 소자 : nMOSFET(L = 0.8ℳm, W = 2.0ℳm )
파라미터값은 개요에서 작성한 level=3의 mos3.lib를 사용
- 해석 : DC문 사용
- 결과 : VGS - SQRT(Id)로 하여 특성 출력
VTO 및 특성분석

고찰
상승시간(rise time) tr = 파형이 정상값의 20%에서 80%까지 상승하는 데 걸리는 시간
하강시간(fall time) tf = 파형이 정상값의 80&에서 20%까지 하강하는 데 걸리는 시간
에지율(edge rate) = trf = (tr + tf)/2
전달지연시간 tpd = 입력 50% 값에서 출력의 50%까지의 최대 시간
혼조 지연 시간 tcd = 입력 50% 값에서 출력의 50%까지의 최소 시간

참고 자료

없음